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                               Eudyna/FUJITSU

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GaAs HEMTs Chip

 

GaAs FET
GaAs FETs Chip
 
Small Signal GaAs FETs
 

 

GaN HEMTs
High Power GaAs FETs
Internally Matched
High Power GaAs FETs
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Selection Guide

 
MMICs for mobile
communication system
 
Power Amplifier MMICs
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Power Amplifier MMICs
for C~V Band
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MMICs for DBS
Wireless Switches

 

Medium Power FETs / MMICs
Medium Power FETs /
MMICs
Power Amplifier Modules
Linearizer Modules
Power Amplifier
Modules for CDMA/PCS
Power Amplifier
Modules for PHS
   
   
   
   
   
   
   


 
 

Lasers

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10 Gbit/s EML-TOSA
10 Gbit/s EML
2.5 Gbit/s EML
 
DWDM Continuous
Wave Lasers with
Wavelength Locker
DWDM Continuous
Wave Lasers
2.5 Gbit/s DML-TOSA
2.5 Gbit/s DWDM
Direct Modulation
DFB Lasers
Analog DFB Laser
Diode Modules
Visible Light LD Products
Receivers
Selection Guide
10 Gbit/s APD (9pin)
Preamplifier Modules
10 Gbit/s APD (17pin)
Preamplifier Modules
10 Gbit/s PIN (17pin)
Preamplifier Modules
10 Gbit/s PIN (9pin)
Preamplifier Modules
2.5 Gbit/s Mini-DIL type
APD/PIN Preamplifier
Receivers
2.5 Gbit/s 5pin Coaxial
APD Preamplifier
Receivers
622 Mbit/s and 2.5 Gbit/s
4pin Coaxial APD
Preamplifier Receivers
2.5 Gbit/s Coaxial PIN
Preamplifier Receivers
 
156/622 Mbit/s, 2.5 Gbit/s
Coaxial PIN Preamplifier
Receivers
2.5 Gbit/s APD/PIN
PD Pigtails
PIN PD Pigtail for
Analog Applications
Optical GaAs ICs
Preamplifier ICs
Laser Diode Driver ICs
Electro Absorption
Modulator Driver ICs
LiNbO3 Modulator
Driver ICs
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   
   


FUJITSU富士通已经与SUMITOMO住友电气工业达成成立一间专注于化合物半导体业务的合资企业优迪那半导体有限公司EUDYNA的决议。 这份决议将整和以及巩固富士通旗下的全资子公司富士通量子器件株式会社与住友电气工业两家公司的化合物半导体电子器件业务。富士通与住友电气工业将各占这间合资企业50%的股份。
这间新的合资公司优迪那半导体有限公司将专注于研究开发, 制造和销售覆盖各种用途的化合物半导体器件, 并致力于成长为这个领域科技发展的领导者, 以迅速地建立全球客户的信任.
               Optical Semiconductors 
               激光二极管模块 
               光电二极管探测器与光接收器模块 
               光收发器模块
               可视激光二极管
               微波器件
Sumitomo 住友电气工业设计、生产并销售基于GaAs技术制成的组件、集成电路和模块产品。电子设备部门(EDD)专注于Ⅲ-Ⅳ组件产业,供应先进和优良的产品,用于光纤通讯系统的前端模拟电路,并可提供给客户多样化的标准产品。现今,本公司已可提供10Gb/s SONET/SDH/ATM的丰富产品系列;而基于InP的40Gb/s IC也在迅速发展中,很快也将被列入我们的产品系列之中。本公司生产无线及光纤产品,以及专注于包含了epitaxial water process技术的行动/无线基站经营,顾客可选择采用以离子注入(Ion-implantation)及Epitaxial组件技术为本的多种GaAs MESFET 制作法.
        光纤产品GaAs IC 
               F01 Series 前置放大器IC  
               F03 Series 限制放大器IC  
               F05 Series LD驱动IC  
               F06 Series LED驱动IC  
              F08 Series PD/APD前置放大器模
        无线产品GaAs IC 
              P01 Series 中等功率FET  
              P04 Series PDC/GSM/AMPS基站/推进器  
              P05 Series PHS基站  
              P06 Series CDMA/PCS基站

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