霍尔元件/霍尔IC/霍尔传感器
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PIC RZMKP
SRC
MEDER CP
CLARE REED RELAY
COP COTO
HAMLIN
MEDER
MDI水银开关继电器/半导体继电器/军用
纸币的磁模式 |
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图4 |
我们利用MR传感器来观察纸币、在这里以1$美元纸币为例。请看图4、以对角线为界、纸币的实物照片(对角线的上左方)和磁模式的画面(对角线的右下方)。从图4中很容易区分印刷画面和所测出的磁信号画面。
在自动销售机等装有纸币的机器中,使用MR传感器可以检测纸币的真伪。 |
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磁传感变换器
MR传感器的另一个用途、可用来检测旋转速度和位置。这里间隔地放置四个MR元素搭成桥电路、将旋转齿轮靠近MR传感器、如图5所示。 |
图5
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这样做、从二个输出端可以得到图6照片这样的信号。 |
图6
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可以看出二个的信号Va和Vb有相位差。
此信号是正弦波,波形的一个周期对应齿轮的一个齿数、一定时间内的波形周期数除以齿数得到一定时间内的转数。
另外,Va和Vb之间的相位错位关系与转动方向有关。分析两个信号的相位超前滞后的关系,便可知道齿轮是正转还是反转。
这个磁传感变换器是用于控制精密发动机转动的。如果不知道发动机机轴的转速和转动位置,就不可能精确有效地进行控制。为此,精密机械主轴用的驱动马达中常采用反应速度快,防油能力强的MR传感器。
电位器
通常的电位计,因为有机械接触点,会由于摩耗和灰尘的缘故、使电阻值有不连续变化的可能性。
而MR元素的电位器没有接点,电阻值变化是随磁场变化而变化的。所以、常用于在调整中需要连续变化的可变电阻中。 |
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图A
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关于MR传感器是如何检测出磁墨粉等磁性体的原理,简单地给以说明。
磁阻效应元素(以下称MR元素),由于磁阻效应,其电阻值随磁场变化而变化。
图A所表示的是MR元素的电阻值随磁场变化的情况、从图中可看出电阻值随磁场强度的变化而变化,与磁场的方向没关系。 |
从具有这种特性的MR元素中,选择特性接近的元素(MR1,MR2)、将其串联连接。
利用磁铁在二个MR元素上加均等磁场、把二个MR元素的相接处作为输出端、这个输出端的电压称为输出电压。请参看右图。
给两个MR元素加电源电压V,输出端的电压应是1/2电源电压V、我们称这个电压为中心电压。 |
图B
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图C
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如果给二个MR元素加不同强度的磁场时,则元素的电阻值会不同,因此输出电压值也就不等于中心电压值了。
比如将图B中的MR1的磁场增大,则MR1电阻值就会比MR2的电阻值大,则输出电压值将小于中心电压值。相反,将MR2的磁场增大,则输出电压值将大于中心电压值。
与此相同,磁性体检测时的情况也是这个道理。例如作为磁铁的磁性体靠近二个MR元素中的其中一方(例如MR2),则磁力线集中于磁铁这边,这时MR2的磁场要比MR1的大、这样MR2的电阻值就比MR1的大,输出电压则大于中心电压。请参看图C。 |
下面的连续图Fig.1到Fig.3表示的是磁性体在MR传感器前面被移动的情况。 |
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MR传感器的输出电压是如何变化的、请看下面的曲线图。
这个图表示的是磁性体在MR传感器前面被移动时、输出电压的变化情况。
下面的曲线图中、Fig.1到Fig.3的箭头符号是对应于上图中磁性体和MR传感器的位置关系的。 |
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注意:
这个输出电压变化关系图,是对于小面积磁性体的情况而言的。对于大面积磁性体将二个MR元素同时覆盖时的情况会与此稍有不同。
以上、简单地说明了MR传感器检测出磁墨粉这种磁性体时,输出电压变化的情况。 |
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半导体磁敏传感器
MRS-F-21
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用途
磁性油墨印刷物的识别,例:人民币
检测AC,DC电流
特点
MR传感器是由InSb单结晶制成,感度高,SN比好.
被检体不必紧密接触传感器也可以检测.
输出电压值与磁性体的移动速度无关.
被检部是纯电阻,抗诱导干扰能力强.
体积小,安装方便. |
最大额定值
(Ta=25℃)
项目 |
记号 |
额定值 |
单位 |
最大外加电压 |
Va max |
5.5 |
V |
绝缘耐压 |
Vi |
100 |
V |
容许损失 |
PD |
44 |
mW |
工作环境温度 |
Topg |
-30~+85 |
℃ |
保存环境温度 |
Tstg |
-30~+85 |
℃ |
电力的特性
(Ta=25℃)
项目 |
记号 |
条件 |
min. |
Typ. |
Max. |
单位 |
输出电压 |
V0 |
Va=5V *1
|
0.16 |
--- |
0.42 |
mVrms |
电极电阻 |
R(MR1+MR2) |
I=1mA
|
700 |
--- |
4500 |
Ω |
中点对称性 |
d |
I=1mA *2
|
--- |
--- |
30 |
% |
内部杂音 |
VNW |
Va=5V
|
--- |
--- |
50 |
μVp-p |
压电杂音电压 |
VNP |
Va=5V, press.=10g
|
--- |
--- |
300 |
μVp-p |
检测面磁通密度 |
B |
---
|
--- |
0.075 |
--- |
T (S Pole) |
检测宽度 |
W |
---
|
--- |
--- |
3 |
mm |
*1. 使用在φ0.1mm 的 导线上流过 50Hz 100mA(rms) 电流而产生磁通量.
*2. d=|MR1-MR2|/MR1(或者 MR2)×100
ADI产品系列
磁场传感器
器件 |
后缀 |
管脚 |
电压范围
(V) |
工作电流
(mA) |
Trise/Fall
(µS) |
共模域
(µT) |
差模域
(µT) |
低速范围
(RPM) |
高速范围
(RPM) |
工作点精度
(mm) |
说明 |
AD22151 |
YR |
8 |
4.5~6 |
10 |
3 |
0~400 |
4~75 |
15 |
4000 |
0~3.5 |
可设置增益,线性输出 |
Infineon产品系列
型号 |
封装 |
电源电压(V) |
方向精度 |
工作温度 |
类型 |
描述 |
GMR B6 |
6-SMD |
+5~+7 |
180 |
-40~+150 |
磁场方向而非密度 |
惠斯通电桥全桥 |
GMR C6 |
6-SMD |
+5~+7 |
360 |
-40~+150 |
磁场方向而非密度 |
两交叉半桥 |
Zetex产品系列
器件 |
封装 |
电源电压(V) |
典型输出电压
(mV/V) |
典型桥阻抗
(Ω) |
灵敏度
(kA/m) |
最大偏移电压(mV/V) |
内部磁体 |
描述 |
ZMY20 |
SOT223S |
12V |
20 |
1.7 |
4.7 |
±1.0 |
否 |
输出电压与磁场强度成正比 |
ZMY20M |
SOT223S |
12V |
18 |
1.7 |
5.5 |
±1.5 |
是 |
输出电压与磁场强度成正比 |
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