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霍尔元件/霍尔IC/霍尔传感器旋转编码器/轴角传感器/角度磁场传感器/磁敏传感器 编码器角度传感器总汇磁阻传感器

            

MRS-H-21

 

样品价格 (日元)

1p/lot
 

500p/lot
 

1000p/lot
 

3,500

1,800

1,600

 

 
MRS-H-21 使用磁墨印刷物的识别
磁性体的旋转和位置的验知
本传感器由随磁场强度变化而电阻值变化的锑化铟(InSb)磁阻体和提供给磁阻体磁偏压的永久磁铁而构成。磁性体一接近传感检测面、对磁阻体起作用的磁通量密度则会变化,根据电阻值的变化可得到输出信号。

 

特色

磁阻元素使用InSb单结晶,灵敏度高、SN比好。
被测体与传感检测面有一些距离也可检知。
输出与磁性体的移动速度无关,因此对静止物也可检知。
传感部是纯电阻因此不易受到诱导噪音的影响。
是一种在被局限的空间内可使用的小型金属壳封装的传感器。


 

最大定格(Ta=25℃)


 

项目

符号

规定值

单位

最大应用电压

Vamax

5.5

V

绝缘电压

VI

100

V

容许损耗

PD

50

mW

运行环境温度

Topg

-30 ~ +85

保存环境温度

Tstg

-30 ~ +85


 
绝对最大额定值(Ta=25C)

 

项目

符号

条件

min.

Typ.

Max.

单位

输出电压

VOUT

Va=5V※1

0.3

 

0.9

mVrms

中点对称性

d

I=1mA※2

 

 

30

%

内部电阻

R

I=1mA

600

4500

Ω

内部噪音

VNW

Va=5V

 

 

50

μVP-P

压电噪音电压

VNP

Va=5V押圧10g

 

 

300

μVP-P

检测面磁通密度

B

 

 

0.075
(S Pole)

 

T

检测宽度

W

 

 

6

 

mm


 
※1 Input uses the magnetic flux which occurs when it is charged with current of 50Hz, 100mA(rms) in the line of φ 0.1mm.※2 d=|MR1-MR2|/MR1(or MR2)*100

 
内部接线图

 

 
外形尺寸图



 

# 产品外形等变更时不予以通告请原凉
 

 

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