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产品名称:	VT系列光敏电阻
产品规格:	VT33N2
产品介绍:	公司提供的光敏电阻VT33N2系列是一种光电效应半导体器件,它能提供很经济实用的解决方案,应用于光存在与否的传感器以及光强度的测量等领域.光敏电阻将逐渐被光电二极管代替！一. 特点: ·最低价格可见光探测器 ·具有低价格塑料封装和金属封装(TO-46,TO-5,TO-8) ·对很暗的光线(月光)以及很强烈的光线(阳光直射)都能响应 ·宽动态范围:电阻值在无光和有光之间,有几倍的变化 ·很低的噪声失真 ·50-400伏最大使用电压,适合在120/240伏交流电下使用 ·提供中心抽头双单元结构以及特殊可选的电阻值范围,适合特殊应用场合 ·很容易用于直流或者交流电路 ·应用于可见光或者近红外光源,如LED,氖灯,荧光灯, 白炽灯,激光,火焰光,太阳光等二. 典型模拟应用: ·摄像机曝光控制 ·幻灯机自动聚焦 ·色度测试设备,分析仪器 ·显像密度计三. 典型数字应用: ·自动灯调光器 ·夜灯控制、街灯控制 ·燃油器火焰信号输出 ·燃烧控制四. 产品分类介绍: 1. VT系列 2. A10系列 3. A90系列 4. B系列 5. D系列 6. M系列 7. U系列 8. UV Photocell紫外光敏电阻(350nm) 　需要相关资料，请联系咨询！


3mm光敏电阻	5mm光敏电阻	MI3-P

MI5-P	菲涅尔透镜-平板	菲涅尔透镜-球面

光敏电阻套管是用在光敏电阻上为了连接光敏电阻和滤光片的产品，是用硅胶做成的，特点是有弹性，不透光。

主要有：

1，直径6MM双孔的，高度有9mm,11mm。内径4.5mm。

2，直径7mm双孔的，高度有9mm,11mm,12.5mm,14.5mm,19mm.内径4.5mm。

3，直径7mm方孔的，高度9mm,内径4.5mm，光敏电阻2只引脚从同方孔中穿过。

4，直筒型的，主要有直径7mm高度9mm直筒和直径7mm高度9mm带内边。

光敏电阻防水罩适用于光敏电阻露天使用，为了防止水进入而生产的，其特点是透明，不会影响光敏电阻接收光线。

红外光敏电阻系列产品

美国NEP专业生产各种规格高品质硫化铅,硒化铅,铟镓砷红外探测器,广泛用于以下产品:

火焰探测器，锅炉控制等
气体分析仪，包括工业气体、汽车尾气等
湿度分析仪
红外温度测量
光谱仪
蛋白质成分分析仪

我们提供以下产品:

硫化铅红外光敏电阻系列 (PbS)
电子冷却硫化铅红外光敏电阻系列 (TEC PbS)
硫化铅红外线阵探测器 (PbS Linear Array)
硒化铅红外光敏电阻 (PbSe)
　
电子冷却硒化铅红外光敏电阻 (TEC PbSe)
硒化铅红外线阵探测器 (PbSe Linear Array)
铟镓砷InGaAs PIN光电二极管近红外探测器

选购这些探测器时请同时参考最先进的MEMS脉冲红外光源.

相应曲线：

硫化铅：

硫化铅响应曲线

硒化铅：

硒化铅响应曲线

1. 硫化铅光敏电阻系列:

硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25°C - Typical	A & AM	B & BM	C & CM
D* (Pk.,600,1) x 10¹¹	.5-1.2	.5-1.2	.5-1.2
Wavelength Cut-off - Microns	3.0	3.0	2.7
Peak Wavelength Response - Microns	2.5	2.5	2.2
Time Constant - Microseconds	<100	100-300	>300
Resistance - Megohms	.2-2.0	.2-2.0	.5-10

注:型号中的M为密封封装.

活性区参数

Code Number	Active Area		Bias Voltage		Typical VW-1 Responsivity	Package Size
Code Number	Inches	mm	Typical	Maximum	Typical VW-1 Responsivity	Package Size
.25	.010	.25	10	20	1.0x10⁶	TO-5 & TO-46
.5	.020	.5	20	40	6.0x10⁵	TO-5 & TO-46
1	.040	1	50	100	3.0x10⁵	TO-5 & TO-46
2	.080	2	100	200	1.5x10⁵	TO-5
3	.120	3	150	300	1.0x10⁵	TO-5
5	.200	5	250	500	6.0x10⁴	TO-8
10	.400	10	500	1000	3.0x10⁴	TO-3

机械参数

TO-46	TO-5

TO-8	TO-3

典型应用电路:

典型应用电路　

2. 电子冷却硫化铅光敏电阻系列

电子冷却硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25° C -Typical	D	D2	D21**
D* (Pk.,600,1) x 10¹¹	1.5	2.5	2.8
Wavelength Cut-off - Microns	3.1	3.2	3.3
Peak Wavelength Response - Microns	2.5	2.5	2.5
Time Constant - Milliseconds	1-2.5	1-2.5	1-2.5
Resistance - Megohms	.5-10	.5-10	.5- 5
Operating Temperature - °C	-20	-30	-45
Cooler Power - Volts DC/Amps	.8V/1.8A	.8V/1.4A	2.0V/1.4A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and Vacuum LN Dewars also available. Contact us for further details.
**TO-8, TO-66 or TO-3 packages only.

活性区参数

Code Number	Active Area		Bias Voltage		Typical VW^{-1X10^{5 Responsivity}}			Package Size
Code Number	Inches	mm	Typical	Maximum	-20	-30	-45	Package Size
1	.040	1	50	100	6.0	9.0	13.0	TO-5-37-8-66
2	.080	2	100	200	3.0	4.5	6.5	TO-5-37-8-66
3	.120	3	150	300	2.5	3.5	4.5	TO-5-37-8-66
5	.200	5	250	500	1.2	2.0	3.0	TO-8-66
10	.400	10	500	1000	.6	1.0	1.5	TO-3

机械参数

机械参数

3. 硫化铅线阵，参考价格每套$528。

主要性能:

Array

PbS Array 1-3 microns
PbSe Array 1-5 microns
PbS D* >8 x 10^{10 Note}
PbSe D* >3 x 10^{9 Note}
Square or rectangular geometry
Pitch down to 59 microns
Pixels 256
Thermoelectrically cooled
TE Cooler Controller
Operating temp. down to 253K
Optical filters
Low cost
Custom designs

Multiplexing

DC integrating
Dark current subtraction
Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz
Independent or slave operation
Custom interfaces available
Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec.

System Requirements

±12 to ±15VDC
TE Cooler 5V @ 2 amps (typical)

Amplifier Specifications

Output voltage range up to ±12V
Output current 2-3 mAmp typical
and up to 30 mAmp available
Adjustable output gain available

4. 硒化铅光敏电阻

硒化铅探测器

电气参数

Test Conditions at 25°C - Typical	F & FM	FA & FAM	FS & FSM
D* (Pk.,1000,1) x 10⁹	1.0 - 3.0	3.0 - 6.0	>6.0
Wavelength Cut-off - Microns	4.5 - 5.0	4.5 - 5.0	4.5 - 5.0
Peak Wavelength Response - Microns	3.8 - 4.3	3.8 - 4.3	3.8 - 4.3
Time Constant - Microseconds	1 - 3	1 - 3	1 - 3
Resistance - Megohms	.1 - 4	.1 - 4	.1 - 4

活性区参数

Code Number	Active Area		Bias Voltage		Typical VW^-1	Package Size
Code Number	Inches	mm	Typical	Maximum	Typical VW^-1	Package Size
1	.040	1	50	100	6,000	TO-5 & TO-46
2	.080	2	100	200	3,000	TO-5
3	.120	3	150	300	2,000	TO-5
5	.200	5	250	500	1,200	TO-8
10	.400	10	500	1000	600	TO-3

机械参数

TO-46	TO-5


TO-8	TO-3

5. 电子冷却硒化铅光敏电阻

电气参数

Test Conditions at 25° C	G	G2	G21**	GS21**
D* (Pk.,1000,1) x 10¹⁰	.7	1.2	1.5	2.0
Wavelength Cut-off - Microns	5.2	5.3	5.4	5.4
Peak Wavelength Response - Microns	4.3	4.5	4.6	4.6
Time Constant - Micro Seconds	10	15	20	20
Resistance - Megohms	.2 - 7	.2 - 10	.2 - 15	.2 - 15
Operating Temperature - °C	-20	-30	-45	-45
Cooler Power	1.2V/1.8A	1.3V/1.6A	2.2V/1.2A	2.2V/1.2A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and LN₂ Dewars available. Please contact us for further details.
**TO-8, TO-66 and TO-3 packages only.
　

活性区参数

Code Number	Active Area		Bias Voltage		Typical VW-1 Responsivity			Package Size
Code Number	Inches	mm	Typical	Maximum	-20	-30	-45	Package Size
1	.040	1	50	100	9000	13000	16000	TO-5-37-8-66
2	.080	2	100	200	5000	8000	11000	TO-5-37-8-66
3	.120	3	150	300	3000	5000	6500	TO-5-37-8-66
5	.200	5	250	500	2000	3000	3500	TO-8-66
10	.400	10	500	1000	1000	1500	1800	TO-3

机械参数

机械图纸

6. 硒化铅线阵，参考价格每套$528。

主要性能:

Array

PbS Array 1-3 microns
PbSe Array 1-5 microns
PbS D* >8 x 10^{10 Note}
PbSe D* >3 x 10^{9 Note}
Square or rectangular geometry
Pitch down to 59 microns
Pixels 256
Thermoelectrically cooled
TE Cooler Controller
Operating temp. down to 253K
Optical filters
Low cost
Custom designs

Multiplexing

DC integrating
Dark current subtraction
Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz
Independent or slave operation
Custom interfaces available
Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec.

System Requirements

±12 to ±15VDC
TE Cooler 5V @ 2 amps (typical)

Amplifier Specifications

Output voltage range up to ±12V
Output current 2-3 mAmp typical
and up to 30 mAmp available
Adjustable output gain available

Note: These D* values are for unmultiplexed arrays. D* is affected by sample rates, integration times, etc.

7. InGaAs PIN光电二极管探测器

InGaAs PIN Photodiode Detectors RT 非致冷型

主要性能:

低暗电流,低电容,高响应.
Mesa 结构, 无信号时不导电.
适合于DC - 3GHz, 以及光纤应用.

Part #	Diameter mm	Resp. A/W @1.3μm	Resp. A/W @1.55μm	Dark Current nA	Cutoff Freq. MHz	Cap. pf	Shunt Res. MΩ	*Peak D cmHz½/W*	NEP W/Hz½
I5-.04-46	.040	.85	.90	.075	3000	.6	9000	>10¹²	<10^-14
I5-.08-46	.080	.85	.90	.10	2200	.9	7000	>10¹²	<10^-14
I5-.1-46	.100	.85	.90	.15	2000	1	6000	>10¹²	<10^-14
I5-.3-46	.300	.85	.90	.4	350	5	900	>10¹²	<10^-14
I5-.5-46	.500	.85	.90	.7	200	10	250	>10¹²	<10^-13
I5-1-46	1.00	.85	.90	2	30	100	90	>10¹²	<10^-13
I5-2-5	2.00	.85	.90	8	3	600	20	>10¹²	<10^-13
I5-3-5	3.00	.85	.90	20	1.75	1200	9	>10¹²	<10^-13
I5-5-8	5.00	.85	.90	30	.5	4000	2	>10¹²	<10^-12
I5-10-3	10.00	.85	.90	100	.15	14000	.5	>10¹²	<10^-12

我们公司主要从事国外品牌的红外硅光电池,紫蓝硅光电池，紫外线传感器的推广,紫蓝硅光电池(光谱范围190nm-1050nm、300—1000nm、峰值波长650nm,)是用于各种光学仪器,如:分光光度计、比色计、白度计、照色计、光功率计、火焰检测器、色放大机等。紫外线线传感器能很好的探测200nm—400nm光谱范围的紫外线辐射,并产生光电流.但对这个光谱区域外紫外线辐射不敏感,例如太阳光以及室内照明光源.我司的产品具有灵敏度高(纳秒级)、可以根据不同的需要提供指定的光谱响应范围，产品应用领域遍及：仪器仪表、医疗器械等。
贵司的仪器产品可能或应该会需要用到此方面的光电元件，如觉得敝司的此类能初步满足贵司的使用,需要样品来进行更进一步的确认,恳请回复此邮件并留下联系人和电话,又或是与我联系．敝人定当尽最大努力为贵司提供优质的服务

CdS（硫化镉）光敏传感器，产品可单独或与其它各类传感器配备，广泛应用于：照相机日光控制、光电自动控制、光电耦合、光电自动检测、电子光控玩具、自动灯开关及各类可见光波段光电控制测量场合

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硅光电池

BPV10

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VISHAY

2003+

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硅光电池

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VISHAY

2004+

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硅光电池

S268P

DIP-8

VISHAY

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硅光电池

BPW34

DIP-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPW34B

DIP-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPW34F

DIP-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPW34S

SMD-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPW34S(R18R)

SMD-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BPW34FS

SMD-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BPW34FS(R18R)

SMD-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BP104

DIP-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BP104S

SMD-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BP104F

DIP-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

BP104FS

SMD-2

OSRAM

2002+

现货

硅光电池

SFH206K

DIP-2

OSRAM

2002+

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SFH3410

SMD-3

OSRAM

2001+

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硅光电池

FH4-6120

SMD-4

OSRAM

2002+

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硅光电池

KOM2125

SMD-3

OSRAM

2002+

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硅光电池

KOM2125FA

SMD-3

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPX48

DIP-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

BPX48F

DIP-2

OSRAM

2002+

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硅光电池

SD6150

DIP-2

OSRAM

2001+

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SD6996

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OSRAM

2001+

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S3407-01

DIP-2

HAMAMATSU

2001+

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S3271-05

SMD-4

HAMAMATSU

2002+

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硅光电池

S3321-04

DIP-2

HAMAMATSU

2002+

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S8314

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HAMAMATSU

2002+

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SP-S503A1

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硅光电池

DBW506C

DIP-2

DONGBAO

2003+

现货

更多产品请看本公司产品专用销售网站:

SSTKJ中国传感器科技信息网：http://www.sensor-ic.com/

SSTKJ工控安防网：http://www.pc-ps.net/

SSTKJ电子元器件网：http://www.sunstare.com/

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