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Pyreos热释电探测器光谱仪
英国ET/EMI光电倍增管
英国Sens-Tech公司
Edinburgh Instruments
英国Pyreos公司
美国Judson公司
德国m.u.t公司
美国OSI公司
美国Moxtek公司
德国Laser Components
美国IRD公司
美国Vertilon公司
美国On-Trak公司
美国Andover公司
美国CVI Melles Griot
美国Kaiser公司
德国Codixx公司
Xavitech公司
MICROWATT公司
LED MICRSENSOR
瑞士MBE公司
美国Helioworks
德国MICRO-HYBRID
hawkeyetechnologies
瑞士Leister
美国ICX
FEMTO
IMM Photonics GmbH
inno-spec GmbH
LEYSOP Ltd.
GenUV
Laser Beam Products
Micro-Sensor GmbH
NOC Ltd.
IBSG
INTEX
RealLight Technology
SDS Systems Development
Wavelength Technology
IFW Optronics GmbH
GEMAC GmbH
德国SGLUX
Alpes Lasers
Becker & Hickl
id Quantique
Licel
Vigo
MCT
Art Photonics GmbH
Cambridge CMOS Sensors
IR System
Multi IR
My Polymers Ltd.
EPIGAP Optronic
德国 First Sensor
世界最小人体检测传感器
光离子气体传感器
红外气体传感器
红外产品/传感器
条形码传感器HOA6480
反射式光电套件
槽型红外光电传感器
编码器传感器
光电斯密特接收管
光电晶体(接收管)
红外发射二极管
光纤传感器
光纤位移传感器
光纤应变传感器
光纤压力传感器
光纤温度传感器
光纤信号调理器
光纤折射率传感器
光电传感器/光谱仪
特种光纤类
光谱仪类
视觉传感器类
测量类
光电传感器类
微波传感器
其它传感器

被动式人体感应模块 

红外感应开关的原理

SS-101系红外感应列产品

常用标准型号红外模块

透镜超小型红外模块

长条超小透镜红外模块

长型超小透镜红外模块

分体式模块红外模块

长条分体红外模块

中尺寸分体红外模块

长型分体红外模块

主动式人体感应模块

主动式红外感应模块1

主动式红外感应模块2

红外线感应模块

主动式红外感应模块

低成本全自动红外感应洁具

SS-968雷达模块


-
SS-807感应开关
-
SS-918有线探头
-
SS-9181有线探头
-
SS-032有线探头
-
SS-7832有线探头
+
人体红外线感应模块
-
SS-718人体感应模块
-
SS-7182人体感应模块
-
SS-718C人体感应模块
+
超声波感应模块
-
SS-311超声波感应模块
- S
S-311RT超声波感应模块

  超声波测距模块/测距仪
+
可燃气体感应模块
-
SS-310煤气感应模块
+
315M/433M高频收发模块
-
SS-2082接收模块
-
SS682接收模块
-
SS-610发射模块
+
湿度模块
-
HSM-20G湿度模块
-
HTF3223湿度模块
-
HTF3225湿度模块
+
微波模块
-
SS100微波移动传感器
-
SS-719微波感应模块
+
315M/433M高频工业控制器
-
SS-1226控制器
-
SS-1228控制器
+
烟雾/煤气感应模块
-
SS-312烟雾/煤气感应模块

人体感应开关--墙壁式安装
人体感应开关--吸点式安装

光电器件传感器
紫外线传感器
颜色传感器                 亮度传感器
热释电红外传感器
光敏电阻
                   光敏传感器
VTL5C系列模拟光隔离器
光电晶体管
CPM端窗式光电倍增管以及模块
单光子计数模块
NDIR红外气体传感器
红外温度传感器
红外光源
CCD图像传感器;线阵CCD相机
激光器件;大功率红外发射管
高速PN、PIN、APD等光电探测器
X射线探测器
 
用于火焰检测的紫外线传感器
  三频红外火焰探测器
用于光强检测的紫外线传感器
EPL晶圆
UV裸片
UV-A传感器
UV-B传感器
UV-C传感器
SYP-UVT46A/SYP-UVT46B
UV模块
型号编码系统
选择指南
封装尺寸
UV传感器应用
UV指数监察
光源监察
火焰监察
UV吸收光譜
UV物质微调
 UV辐射
UV指数
应用电路
 
 
红外光电系列
光电二极管
光电晶体管
特殊光探测器
光电耦合器
红外发射管
红外接收管/红外线接收器
 红外接收头
 光敏三极管
 光电传感IC
硅光电池管
太阳能电池
镭射激光管/激光二极管
发光二极管
传感器件系列
 凹槽型开关/透射式光电传感器
 反射式开/反射式光电传感器
 红外数据头/数据传输器
        霍尔传感器
        光纤传感器
        人体传感器
        声波传感器
        气体传感器
        温湿传感器
        颜色传感器
        压力传感器
        菲涅尔透镜
        接近传感器
        微波感应器
高频元件系列
        双栅场效应管
        高频微波管
集成IC系列
        红外数据IC
        红外遥控IC
        蓝牙通讯IC
        图像传感器
光鼠球鼠对管IC
摄像数字影像IC
手机周设/手机IC
光电藕合器IC
光管/激光IC
光电开关
反射接近开关
红外接收管
红外发射管
红外接收头
光敏接收管
发光管/数码管
光纤接收/发射头
闪光管
放电管
硅光电池
紫外线传感器
热释传感器/菲透镜 
超声波传感
霍尔元件干簧管/磁传感器 
数据传输器
热电堆/红外测温计
光敏电阻
紫外发光二极管
深紫外发光二极管
近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管
大功率深紫外发光二极管
发光二极管驱动
激光二极管
气体分析用激光二极管
通用激光二极管  
光纤耦合激光二极管
大功率泵浦激光二极管模块
超辐射激光二极管  
激光二极管驱动控制器  
激光二极管配件
半导体光学放大器
红外发光二极管
中红外发光二极管
近红外发光二极管
大功率红外发光二极管
发光二极管驱动
光电探测器
热电堆探测器
热释电探测器
中红外光电探测器
紫外探测器  
硅光电探测器
锗光电探测器
InGaAs光电探测器
双波段探测器
德国倍加福P+F
PerkinElmer
德国海曼HEIMAAN传感器
光电传感器德国SICK
光电传感器美国HONEYWELL
DI-SORIC传感器
宝德Burkert
施迈赛Schmersal 
SMC气动元件
SKF轴承系列产品
日本基恩士KEYENCE
日本竹中(TAKEX)
欧姆龙(OMRON)
基恩士( KEYENCE)
神视 (SUNX)
德国倍加福P+F
boseline-mocon
ICX
图尔克TURCK
SETRA
DANAHER
IMT
HAMAMATSU滨松
KODENSHI
ALEPH
GE
SIEMENS
YAMATAKE
OPTEK
E2V
WIKA
LITEON
OSRAM
SANYO
SHARP
STANLEY
VISHAY
EVERLIGHT
OPTO SENSOR
PANASONIC
ROHM
TAOS
安捷伦AGILENT
MEAS传感器
 
 
 
 
 

光电二极管

 


供应光电二极管(PIN photodiodes),用于将光信号转换为电信号,形成光电效应/光电池。该系列光电二极管应用广泛,包括: 安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天。如果采购数量10片以上,提供配套的驱动电路模块。

 

Series 6b: Blue/Green sensitive photodiodes

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

5V

410nm 5V
 

mm

mm2

nA

ns

501429

PS1-6b

TO52S1

1×1

1

0.05

10

501430

PS1-6b

LCC6.1

1×1

1

0.05

10

501297

PC5-6b

TO5

Ø2.52

5

0.1

20

501242

PS7-6b

TO5

2.7×2.7

7

0.15

25

501229

PC10-6b

TO5

Ø3.57

10

0.2

45

501241

PS13-6b

TO5

3.5×3.5

13

0.25

50

501244

PS33-6b

TO8

5.7×5.7

33

0.6

140

501258

PS100-6b

LCC10S

10×10

100

1

200

501135

PS100-6b

CERpinE

10×10

100

1

200

501045

PS100-6b

CERpinG

10×10

100

1

200

Band-pass filter modules: PR20-6b TO5i with center wavelength 488nm, 550nm, 633nm, 680nm

Series 5b: High speed photodiodes (for Blue-sensitive photodiodes)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

3.5V

405nm 3.5V
 

mm

mm2

nA

ns

501424

PS1.0-5b

TO52S1

1.0×1.0

1

0.01

1.3

501428

PS1.0-5b

LCC6.1

1.0×1.0

1

0.01

1.3

501425

PS7-5b

TO5

2.7×2.7

7

0.5

5

501426

PC10-5b

TO5

Ø3.57

10

0.5

6

501427

PS13-5b

TO5

3.5×3.5

13

1

6

Series 5t: High speed photodiodes for low voltages (for low operating voltages between 3 and 5V, making them ideal for VIS and NIR applications in conjunction with CMOS components)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

3.5V

850nm 3.5V
 

mm

mm2

nA

ns

501126

PS0.25-5t

LCC6.1

0.5×0.5

0.25

0.01

0.4

501434

PS0.25-5t

SMD1206

0.5×0.5

0.25

0.01

0.4

501125

PC0.55-5t

LCC6.1

Ø0.84

0.55

0.01

1

501289

PC0.55-5t

T1 3/4

Ø0.84

0.55

0.01

1

501290

PC0.55-5t

T1 3/4 black

Ø0.84

0.55

0.01

1

501127

PS1-5t

LCC6.1

1.0×1.0

1

0.01

1

501432

PS7-5t

TO5

2.7×2.7

7

0.5

1

Series 5: High speed photodiodes (for fast rise times at low reverse voltages)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

20V

850nm 20V
 

mm

mm2

nA

ns

500122

PS0.25-5

TO52S1

0.5×0.5

0.25

0.1

0.4

500119

PS0.25-5

TO52S3

0.5×0.5

0.25

0.1

0.4

500973

PS0.25-5

LCC6.1

0.5×0.5

0.25

0.1

0.4

500116

PS0.25-5

SMD1206

0.5×0.5

0.25

0.1

0.4

501257

PC0.55-5

TO52S1

Ø0.84

0.55

0.2

1

501124

PC0.55-5

LCC6.1

Ø0.84

0.55

0.2

1

500127

PS1.0-5

TO52S1

1.0×1.0

1

0.2

1.5

500128

PS1.0-5

TO52S3

1.0×1.0

1

0.2

1.5

501128

PS1.0-5

LCC6.1

1.0×1.0

1

0.2

1.5

501291

PS7-5

TO5

2.7×2.7

7

0.5

2

501218

PS11.9-5

TO5

3.45×3.45

11.9

1

3

500097

PC20-5

TO8

Ø5.05

20

2

3.5

501292

PS33-5

TO8

5.7×5.7

33

2

3.5

501011

PS100-5

LCC10S

10×10

100

2

5

501433

PS100-5

CERpinG

10×10

100

2

5

Series 6: IR photodiodes with min. dark current (for low-capacitance light detection as well as for α, β, ϒ and X-radiation detection)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

10V

850nm 10V
 

mm

mm2

nA

ns

500151

PC1-6

TO52S1

Ø1.13

1

0.05

10

500482

PC1-6

TO52S3

Ø1.13

1

0.05

10

501214

PC5-6

TO5

Ø2.52

5

0.1

13

501221

PS7-6

TO5

2.66×2.66

7

0.1

15

501193

PC10-6

TO5

Ø3.57

10

0.2

20

501246

PS13-6

TO5

3.5×3.5

13

0.2

20

500113

PC20-6

TO8

Ø5.05

20

0.3

25

501298

PS33-6

TO8

5.7×5.7

33

0.4

25

500103

PC50-6

TO8S

Ø7.98

50

0.5

30

500082

PC100-6

BNC

Ø11.28

100

1

40

501264

PS100-6

BNC

10×10

100

1

40

501435

PS100-6

LCC10S

10×10

100

1

40

500149

PS100-6

CERpinG

10×10

100

1

40

Series 7: IR photodiodes with fully depletable (very low capacitance levels)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

10V

905nm 10V
 

mm

mm2

nA

ns

501285

PC5-7

TO8i

Ø2.52

5

0.05

45

501286

PC10-7

TO8i

Ø3.57

10

0.1

50

501287

PC20-7

TO8Si

Ø5.05

20

0.2

50

501317

PS100-7

LCC10G

10×10

100

1.5

50

Series Q: Photodiodes for 1064nm (specifically for laser rangefinders, laser-based targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

150V

1064nm 150v
 

mm

mm2

nA

ns

501446

PC10-Q

TO8i

Ø3.57

10

0.5

14

501447

PC20-Q

TO8Si

Ø5.05

20

1

14

501273

PS100-Q

LCC10G

10×10

100

80

14

501448

PC50-Q

TO8Si

Ø8

50

2.5

14

光电二极管模块

 


供应
光电二极管模块,自带集成放大电路和温度补偿功能,配套用于雪崩二极管位敏探测器四象限探测器波长敏感探测器,特别适合于系统集成、仪器开发、科学研究。

自带集成放大电路板和温度补偿功能的
雪崩二极管雪崩二极管阵列
 

Order #

Chip

Type

50159502

AD1100-8

USB-module APD-eval-kit

501543

SiPM

 USB-module SiPM-eval-kit

50146502

25AA0.04-9

125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit

501476

64AA0.04-9

125 MHz LIDAR APD-array-eval-kit


不带集成放大电路板的雪崩二极管

 

Order #

Type

Transimpedance/Ohm

Bandwidth/MHz

Chip

Package

Series 8 (for 800nm)

500002

AD230-8

TO5

2750

2000

501535

AD230-8

TO52

2750

2000

500003

AD500-8

TO5

2750

1000

501536

AD500-8

TO52

2750

1300

Series 9 (for 900nm)

501403

AD500-9-8015

TO52

2750

500

501386

16AA0.13-9

Ceramic

10k

500

500756

AD230-9

TO5

2750

600

500490

AD500-9

TO5

2750

500

Series 10 (for 1064nm)

501387

AD800-10

TO8S

10k

65


自带集成放大电路板和温度补偿功能的
位敏探测器四象限探测器波长敏感探测器
 

Order #

Chip

Type

Package

501101

QP45-Q

Quadrant PD

HVSD

500741

QP50-6

Quadrant PD

SD2

500964

QP50-6

Quadrant PD

SD2-DIAG

501102

QP50-6 (18µm)

Quadrant PD

SD2

501110

QP50-6 (18µm)

Quadrant PD

SD2-DIAG

501104

QP154-Q

Quadrant PD

HVSD

500788

DL16-7

PSD

PCBA3

500744

DL100-7

PSD

PCBA3

500819

DL400-7

PSD

PCBA

500008

WS7.56

Wavelength sensitive PD

PCBA2

501495

X100-7 with Scintillator

Gamma pulse counter

Shielded module


高压电源模块

 

Order #

Max.Voltage/V

Ripple/mV

Description

Feature

501385

-500

7.5

High performance HV source

Ultra low ripple

501381

+500

7.5

High performance HV source

Ultra low ripple

501382

+200

7.5

High performance HV source

Ultra low ripple

501383

+200

<10

Compact HV source

Small footprint

501384

+60

<10

PIN-photodiode HV source

Very small footprint

雪崩二极管

 


供应雪崩二极管(APD,Avalanche photodiodes),是一种内部增益机制的光电二极管:蓝光增强型、红光增强型、红外增强型(900nm、1064nm)。该系列雪崩二极管应用广泛,包括:安检设备、激光测距、运动控制、分析仪器、生物医疗、光通信、军事、航空航天、光通讯。备注:如果采购数量10片以上,提供配套的驱动电路模块。

 

Series 11: Blue sensitivity enhanced (for biomedical applications)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

M=100

410nm 50Ω

mm

mm2

nA

ns

500970

AD800-11

TO52S1

Ø0.8

0.5

1

1

500967

AD1900-11

TO5i

Ø1.95

3

5

2

Series 12: Red sensitivity enhanced (cut-off frequency up to 3 GHz)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

660nm M=100

660nm 50Ω

mm

mm2

A/W

GHz

501828

AD100-12

LCC6.1

Ø0.1

0.008

50

typ.3, min.2

501829

AD100-12

LCC6.1f

Ø0.1

0.008

44

typ.3, min.2

501831

AD100-12

TO52S1

Ø0.1

0.008

50

typ.3, min.2

501157

AD230-12

LCC6.1

Ø0.23

0.042

50

typ.3, min.2

501156

AD230-12

LCC6.1f

Ø0.23

0.042

44

typ.3, min.2

501820

AD230-12

LCC6.1f

Ø0.23

0.042

44

typ.3, min.2

501162

AD230-12

TO52S1

Ø0.23

0.042

50

typ.3, min.2

501155

AD500-12

LCC6.1

Ø0.5

0.196

50

typ.3, min.2

501154

AD500-12

LCC6.1f

Ø0.5

0.196

44

typ.3, min.2

501819

AD500-12

LCC6.1f

Ø0.5

0.196

44

typ.3, min.2

501163

AD500-12

TO52S1

Ø0.5

0.196

50

typ.3, min.2

Series 8: Optimized for high cut-off frequencies-850 nm (optimized for high speeds)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

M=100

M=100 20V 50Ω

mm

mm2

nA

ns

501810

AD100-8

LCC6.1

Ø0.1

0.008

0.05

 <0.18

501811

AD100-8

LCC6.1f

Ø0.1

0.008

0.05

<0.18

501812

AD100-8

LCC6.1f

Ø0.1

0.008

0.05

<0.18

500011

AD100-8

TO52S1

Ø0.1

0.008

0.05

<0.18

501171

AD100-8

TO52S3

Ø0.1

0.008

0.05

<0.18

501078

AD230-8

LCC6.1

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

501079

AD230-8

LCC6.1f

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

501805

AD230-8

LCC6.1f

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

500019

AD230-8

TO52S1

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

500022

AD230-8

TO52S3

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

501496

AD230-8

ODFN2x2

Ø0.23

0.04

0.3

0.18

501077

AD500-8

LCC6.1

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

501076

AD500-8

LCC6.1f

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

501809

AD500-8

LCC6.1f

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

500030

AD500-8

TO52S1

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

500305

AD500-8

TO52S2

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

500155

AD500-8

TO52S3

Ø0.5

0.2

0.5

0.35

500947

AD800-8

TO52S1

Ø0.8

0.5

2

0.7

501117

AD1100-8

TO52S1

Ø1.13

1

4-6

1

500015

AD1900-8

TO5i

Ø1.95

3

15

1.4

501194

AD3000-8

TO5i

Ø3

7.07

30

2

500160

AD5000-8

TO8i

Ø5

19.63

60

3

500002

AD230-8-2.3G

TO5

AD230-8-2.3G TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO5 package.

500003

AD500-8-1.3G

TO5

AD500-8-1.3G TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO5 package.

Series 9: NIR sensitivity enhanced-900nm (specifically for LIDAR and laser rangefinders)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

M=100

M=100

mm

mm2

nA

ns

501815

AD100-9

LCC6.1

Ø0.1

0.008

0.1

<0.5

501816

AD100-9

LCC6.1f

Ø0.1

0.008

0.1

<0.5

501123

AD230-9

LCC6.1

Ø0.23

0.04

0.5

0.5

501817

AD230-9

LCC6.1f

Ø0.23

0.04

0.5

0.5

500020

AD230-9

TO52S1

Ø0.23

0.04

0.5

0.5

501265

AD230-9

TO52S1F2

Ø0.23

0.04

0.5

0.5

500023

AD230-9

TO52S3

Ø0.23

0.04

0.5

0.5

501122

AD500-9

LCC6.1

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

501818

AD500-9

LCC6.1f

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

500031

AD500-9

TO52S1

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

500590

AD500-9

TO52S1F2

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

500306

AD500-9

TO52S2

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

500156

AD500-9

TO52S3

Ø0.5

0.2

0.8

0.55

501196

AD800-9

TO52S1

Ø0.8

0.5

2

0.9

501197

AD1100-9

TO52S1

Ø1.13

1

4

1.3

501208

AD1500-9

TO5i

Ø1.5

1.77

2

2

501198

AD3000-9

TO5i

Ø3

7.07

30

2

500161

AD5000-9

TO8i

Ø5

19.63

60

3

500756

AD230-9-400M

TO5

AD230-9-400M-TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.

500490

AD500-9-400M

TO5

AD500-9-400M-TO5 is a high frequency optical data receiver comprising an Avalanche Silicon Photodiode and a transimpedance amplifier in a hermetically sealed TO-5 package.

Multi-Element Array

501099

8AA0.4-9

SOJ22GL

APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC

501098

16AA0.13-9

SOJ22GL

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC

500038

16AA0.13-9

DIL18

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm

501097

16AA0.4-9

SOJ22GL

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm

50130802

25AA0.04-9

BGA

APD Array 25 (5×5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

50130802

25AA0.16-9

BGA

APD Array 25 (5×5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

50130702

64AA0.04-9

BGA

APD Array 64 (8×8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

501207

QA4000-9

TO8Si

Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm

Series 10: NIR sensitivity enhanced - 1064nm (specifically for laser rangefinders, targeting systems or any applications using YAG lasers or similar NIR radiation sources)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

M=100

M=100 1064nm
 

mm

mm2

nA

ns

500953

AD500-10

TO5i

Ø0.5

0.2

1.5

4

501233

AD800-10

TO5i

Ø0.8

0.5

3

5

500883

AD1500-10

TO5i

Ø1.5

1.77

7

5

50123401

AD4000-10

TO8Si

Ø4

12.56

50

6

501387

AD800-10

TO8S

High speed, high gain, low noise, low power consumption hybrid (AD800-10+TIA)

Multi-Element Array

501174

QA4000-10

TO8Si

Quadrant Avalanche Photodiode, High QE at 850-1070nm

光电倍增管

 


供应光电倍增管(Silicon Photomultiplier),基于KETEK技术,专注于微弱光的检测。该系列光电倍增管具有如下特点:单光子计数、灵敏度高、信噪比高、效应速度快、温度影响小、结构紧凑,广泛应用于:化学分析、医疗诊断、科学研究、工业集成。

 

Order #

Chip Package

Active Area(mm²)

Pixel Size(µm)

Pixel Number

Trench Technology

Geometrical Efficiency(%)

Dark Rate

50150804

THD

1.2×1.2

50×50

576

No

70

500

50150801

THD

3.0×3.0

50×50

3600

No

70

500

50150802

THD

3.0×3.0

50×50

3600

Yes

63

300

50150803

THD

6.0×6.0

60×60

10000

Yes

66

500

APD阵列

 


供应APD阵列:线性APD阵列、矩阵APD阵列。该系列雪崩二极管阵列主要用于:激光雷达、激光测距。我们同时供应雪崩二极管雪崩二极管模块

 

Order #

Chip

Package

Description

501099

8AA0.4-9

SOJ22GL

APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC

501098

16AA0.13-9

SOJ22GL

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC

500038

16AA0.13-9

DIL18

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm

501097

16AA0.4-9

SOJ22GL

APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm

50130802

25AA0.04-9

BGA

APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

50130902

25AA0.16-9

BGA

APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

50130702

64AA0.04-9

BGA

APD Array 64 (8x8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC

501207

QA4000-9

TO8Si

Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm

位敏探测器

 



供应位敏探测器(PSD,Position Sensitive Detector),是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件,将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号,以实现位置探测。

 

Order #

Chip

Package

Dimensions

ActiveArea(mm)

Area(mm²)

Rise Time(ns)

500588

OD3.5-6

SO8

single

3.5×1

3.5

200

500073

OD3.5-6

SMD

single

3.5×1

3.5

200

501278

OD6-6

SO16

single

6×1

6

200

501115

OD6-6

SMD

single

6×1

6

200

500062

DL16-7

CERpin

dual axis

4×4

16

500

500162

DL16-7

CERsmd

dual axis

4×4

16

500

501020

DL16-7

LCC10G

dual axis

4×4

16

500

500054

DL100-7

CERpin

dual axis

10×10

100

4000

500056

DL100-7

CERsmd

dual axis

10×10

100

4000

500952

DL100-7

LCC10

dual axis

10×10

100

4000

500066

DL400-7

CERpin

dual axis

20×20

400

4000

500068

DL400-7

CERsmd

dual axis

20×20

400

4000

四象限探测器

 


供应四象限探测器(QP,Quadrant photodiodes),由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。该系列四象限探测器应用广泛,包括:激光光束的位置测量、需要精确调整的光学系统。

 

Series 6 - Quadrant photodiodes (low dark current)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

10V

850nm 10V

mm

mm2

nA

ns

501222

QP1-6

TO52

Ø1.13

4×0.25

0.1

20

501040

QP5-6

TO5

Ø2.52

4×1.25

0.2

20

501254

QP5.8-6

TO5

2.4×2.4

4×1.45

0.4

20

501256

QP10-6

TO5

Ø3.57

4×2.5

0.5

20

500140

QP20-6

TO8S

Ø5.05

4×5

1

30

500732

QP50-6

TO8S

Ø7.8

4×12.5

2

40

500142

QP50-6

TO8S

Ø7.8

4×12.5

2

40

501416

QP50-6

TO8S flat

Ø7.8

4×12.5

2

40

501417

QP50-6

TO8S flat

Ø7.8

4×12.5

2

40

501276

QP100-6

LCC10G

Ø11.2

4×25

4

40

50127601

QP100-6

LCC10S

Ø11.2

4×25

4

40

Series 7 - Quadrant photodiodes (fully depletable)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

10V

905nm 10V

mm

mm2

nA

ns

501319

QP100-7

LCC10G

10×10

4×25

2

50

Series Q - Quadrant photodiodes (for 1064nm)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Rise Time

Chip

Package

Size

Area

150V

1064nm 150V 50Ω

mm

mm2

nA

ns

501049

QP22-Q

TO8S

Ø5.3

4×5.7

1.5

12

501048

QP45-Q

TO8S

6.7×6.7

4×10.96

8

12

501275

QP45-Q

LCC10G

6.7×6.7

4×10.96

8

12

501272

QP100-Q

LCC10G

10×10

4×25

6.5

12

500798

QP154-Q

TO1032i

Ø14.0

4×38.5

10

12

501313

QP154-Q

TO1081i

Ø14.0

4×38.5

10

12

铟镓砷探测器

 



供应铟镓砷探测器(InGaAs detectors),有效探测直径可达3mm,具有暗电流低和灵敏度高的特点,封装形式:TO针脚形式和SMD贴片形式。

 

InGaAs detectors (high sensitivity up to 2600nm)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Spectral responsivity

Waveband

Chip

Package

Size

Area

5V

650nm

1550nm

mm

mm2

nA

A/W

A/W

nm

501201

PC0.7-i

LCC6.1

1

0.7

2

0.05

0.95

900-1700

501203

PC0.7-i

TO52S1

1

0.7

2

0.05

0.95

900-1700

501202

PC0.7-ix

LCC6.1

1

0.7

2

0.3

0.95

600-1700

501204

PC0.7-ix

TO52S1

1

0.7

2

0.3

0.95

600-1700

501251

PC2.6-i

TO5i

2

2.6

10

0.05

0.95

900-1700

501266

PC7.1-i

TO5i

3

7.1

25

0.05

0.95

900-1700

波长敏感探测器

 


供应波长敏感探测器(WS,Wavelength-sensitive diodes),利用特定波长在硅基材料的辐射吸收深度来实现,特别适合于单色光的波长检测。

 

Wavelength sensitive diodes (particularly suitable for monochromatic light)

Order #

Type

Dark Current

Rise Time Diode 1

Rise Time Diode 2

Chip

Package

5V

0V 1kΩ

0V 1kΩ

nA

ns

ns

501224

WS7.56

TO5

10

10000

1000

501225

WS7.56

TO5i

5

10000

1000

辐射探测器

 


供应辐射探测器(Detectors for Ionizing Radiation),具有吸收容量高、暗电流低、完全耗尽的特点,用于检测原子颗粒。

 

Detectors for ionizing radiation (silicon radiation detectors)

Order #

Type

Active Area

Dark Current

Gamma-energy (KeV)

Chip

Package

Size

Area

mm

mm2

nA

KeV

50190301

X5-γ

TO8S

Ø2.52

5

0.01

>1

50190401

X10-γ

TO8Si

Ø3.75

10

0.02

>1

50190001

X10-γ

TO8S Sc

Ø3.75

10

0.02

>2

501907

X10-6

TO39

Ø3.57

10

0.5

>5

501401

X100-7

LCC10

10×10

100

3

>5

501400

X100-7

CerPin

10×10

100

3

>5

50144501

X100-7.2

CerPin

10×10

100

5

>5

50147702

X100-7

CerPin

10×10

100

5

>5

50147701

X100-7

CerPin

10×10

100

5

>5


 

Arrays for X-ray inspection, optimized for scintillator luminescence. Suitable for linear multi-device-assembly with constant photodiode pitch

Order #

Type

Elements

Pitch

Active Area

Dark Current

Capacitance

Chip

Package

Size

Area

mm

mm

mm2

pA

pF

50146101

16XA1.9-B

  DIL18 full

16

1.275

0.9×2.15

1.94

5

250

50146102

16XA1.9-B

  DIL18 slim

16

1.275

0.9×2.15

1.94

5

250

50146201

16XA2.6-A

  DIL18 full

16

1.575

1.2×2.15

2.58

5

135

50146202

16XA2.6-A

  DIL18 slim

16

1.575

1.2×2.15

2.58

5

135

50146301

16XA5.2-A

  DIL18 full

16

2.525

2.15×2.4

5.16

7.5

240

50146302

16XA5.2-A

  DIL18 slim

16

2.525

2.15×2.4

5.16

7.5

240

光电管接收模块

 


供应光电管接收模块,由如下两部分组成:
光电二极管和前置放大电路,TEC制冷模块可选(提高系统的信噪比)。该系列光电探测器模块对电路进行优化,将电磁干扰降到最小,内置前置放大电路可以用示波器或数据采集卡直接读取对应的电压值。根据不同应用,光电二极管可选,包括:UV Si,Vis Si,NIR InGaAs,Extended InGaAs,PbS,PbSe。
 

根据探测器种类、有效探测面积、是否包含TEC制冷,如下型号可供选择:
 
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 2.5mm
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 5.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 5.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 10.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 2.5mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 5.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 5.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 10.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 11.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs (800-1600nm), 3.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(800-1700nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs (1000-1700nm), 3.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2500nm), 1.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2500nm), 3.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2600nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2600nm), 3.0mm
Photodiode Receiver Module, PbS(1000-2800nm), 2.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, PbSe(1000-4500nm), 2.0mm, TE Cooled

光电管放大器

 



供应光电管放大器,直接将光电二极管、光电倍增管等电流源的电流信号转换成数字信号。通过切换A/W,可以设置电流值显示或者功率值显示(作为光功率计)。该系列光电管放大器具有如下特点:满量程输入范围从±20nA至±20mA;可变偏压从-14V至14V;LCD显示读数;RS-232串行接口。

 
Specifications
Max input without damage
±25mA
Full scale range
±20nA to 20mA in decade steps, 1pA max. resolution
A/W setting
0.100 to 1.000A/W in increments of .005A/W
Output impedance
100Ω
Bias voltage
Selectable -14V to +14V in 6.5mV increments
Analog ourput port
±2V corresponds to ±20,000 counts of range in use
Noise and Drift
<1pA/5 seconds on most sensitive range
Frequency response(-3dB)
DC to 2KHz, most sensitive range
DC to 40KHz, least sensitive range
Display
4 1/2 digit LCD, 0.4" high
Power requirement
Rechargeable Ni-MH batteries with approximately 10-hours
External supply
85-250VAC, 50-60Hz, <9VA
Dimensions
140mm(W)×63mm(H)×215mm(L)
Weight
0.9kg, excluding external power supply
Operating temperature
0 to +40°C
Accessories provided
RS-232 cable, power supply/charger, operating manual

压力传感器

 


供应压力传感器,特点:能效高、稳定性好、准确度高、适合恶劣环境。该系列压力传感器应用:工业生产、环境保护、测量、医学领域。

 
Model
HDU
HMU
Pressure ranges
100 mbar to 5 bar
100 mbar to 10 bar
1 to 70 psi
1 to 70 psi
Pressure type
Absolute, Gage, Differential
Absolute, Gage, Differential
Output signal
100mV (FSO)
100mV (FSO)
Thermal effects
Offset
±0.02 %FSS/°C
±0.02% FSS/°C
Span
-0.2% FSS/°C
-0.2% FSS/°C
Bridge impedance
0.26 %/°C
0.26 %/°C
Temp. range operating
-40-85°C
-40-85°C
Dimensions without connections
12×15×7mm³
10×13×6mm³
Features
Analogue sensor with
nearly unlimited resolution
Analogue sensor with
nearly unlimited resolution
Cost-effective basic pressure sensor
Cost-effective basic pressure sensor
Increased media compatibility

 
Model
HCL
HDO
HRO
Pressure ranges
5 to 75 mbar
10 mbar to 5 bar
10 mbar to 10 bar
2 to 30 inH2
4 inH2O to 70 psi
4 inH2O to 150 psi
Pressure type
Gage, Differential
Absolute, Gage, Differential
Gage, Differential
Output signal
20mV (FSO)
90mV (FSO)
90mV (FSO)
Accuracy, non-linearity
±0.05 %FSO
±0.1 %FSO (P-grade)
±0.25 %FSS
±0.2 %FSO (H-grade)
Temp. range compensated
0-70°C
0-50°C
0-70°C
Temp. range operating
-25-85°C
-40-85°C
-25-85°C
Dimensions without connections
13×16×7mm³
12×15×7mm³
29×18×11mm³
Features
Analogue sensor with nearly unlimited resolution
Analogue sensor with
nearly unlimited resolution
Analogue sensor with
nearly unlimited resolution
For very low pressures
Different accuracy classes available
Different accuracy classes available
Excellent offset stability
Virtually no position sensitivity

 
Model
HCLA
HCE
HDI
Pressure ranges
2.5 to 75 mbar
10 mbar to 5 bar
10 mbar to 5 bar
1 to 30 inH2O
4 inH2O to 70 psi
4 inH2O to 70 psi
Pressure type
Gage, Differential
Absolute, Gage, Differential
Absolute, Gage, Differential
Output signal
0.25-4.25 V, I²C bus
0.25-4.25 V, SPI bus
0.5-4.5 V, I²C bus
Accuracy, non-linearity   
±0.05 %FSS
±0.1 %FSS
±0.1 %FSS
Accuracy, total accuracy                                          
N.A.
±0.5 %FSS
±0.5 %FSS (P-grade)
±1.5 %FSS (H-grade)
Temp. range operating
-25-85°C
-25-85°C
-20-85 °C
Dimensions without connections
13×16×7mm³
13×16×7mm³
12×15×7mm³
Features
Digital signal conditioning
Digital signal conditioning
Digital signal conditioning
For very low pressures
Very high total accuracy
Very high total accuracy
Excellent offset stability and virtually no position sensitivity
SPI bus interface and analogue output \at the same time
I²C bus interface and analogue output
at the same time
I²C bus interface and analogue output
at the same time
Different accuracy classes available

 
Model
LBA
LDE
Pressure ranges
25 to 500 Pa
25 to 500 Pa
0.1 to 2 inH2O
0.1 to 2 inH2O
Pressure type
Gage, Differential
Gage, Differential
Output signal
0.5-4.5 V
0.5-4.5 V, SPI bus
Offset stability
0.3 % p.a.
0.1 % p.a.
Accuracy, total accuracy
±1.5 %FSS
±1.5 %FSS
Dimensions without connections
13×18×8mm³
13×18×8mm³
Features
Unmatched sensitivity and resolution
Unmatched offset stability, linearity, sensitivity and resolution
Analogue signal conditioning
Digital signal conditioning with SPI bus interface and analogue output at the same time
Micro-flow channel integrated
within sensor chip
Micro-flow channel integrated
within sensor chip
High immunity to dust, humidity and long tubing
High immunity to dust, humidity and long tubing
Miniature housing
 Miniature housing

 
Model
HMA
HMI
HME
Pressure ranges
100 mbar to 10 bar
100 mbar to 10 bar
101 mbar to 10 bar
1 to 150 psi
1 to 150 psi
1 to 150 psi
Pressure type
Gage, Differential
Gage, Differential
Gage, Differential
Output signal
0.5-4.5 V
I²C bus
SPI bus
Accuracy, non-linearity           
±0.25 %FSS
±0.25 %FSS
±0.25 %FSS
Accuracy, total accuracy
±1.5 %FSS
±1.5 %FSS
±1.5 %FSS
Temp. range compensated
-20-85°C
-20-85°C
-20-85°C
Dimensions without connections
10×13×6mm³
10×13×6mm³
10×13×6mm³
Features
Increased media compatibility for gases and liquids
Increased media compatibility for gases and liquids
Increased media compatibility for gases and liquids
Digital signal conditioning
Digital signal conditioning
Digital signal conditioning
Analogue output signal
I²C bus interface
SPI bus interface
Very small housings
Very small housings
Very small housings

 
Model
SSO
SSI
KMA
Pressure ranges
200 mbar to 35 bar
200 mbar to 35 bar
500 mbar to 100 bar
3 to 500 ps
3 to 500 psi
7 to 1500 psi
Pressure type
Absolute, Gage
Absolute, Gage
Gage
Output signal
100mV (FSO)
0.5-4.5V, I²C bus
0.5-4.5V
Accuracy, non-linearity           
±0.1 %FSS
±0.1 %FSS
±0.4 %FSO
Accuracy, total accuracy
±1.5 %FSS
±1.5 %FSS
±1.5 %FSS
Temp. range compensated
0-50°C
-20-85°C
0-85°C
Temp. range operating
-40-125°C
-40-120°C
-20-85°C
Dimensions without connections
Φ19mm
Φ19mm
Φ22×27mm
Features
High media compatibility
High media compatibility
High media compatibility
Fully welded stainless steel
construction
Fully welded stainless steel construction
Ceramic pressure sensor element in stainless steel housing
Very high total accuracy
I²C bus interface and analogue
output at the same time
Digital signal conditioning

压力传感器芯片

 


供应压力传感器芯片,基于高级电阻传感技术(STARe, Sensor Technology for Advanced Resistors)。该系列压力传感器芯片具有稳定性高、适用于恶劣环境的特点,广泛应用于腐蚀性、流动性、油性环境下的高精密压力传感测量,包括:汽车制造、工业、医疗、大型家电。

 
Type
Pressure range
min.
typ.
max.
Unit
Standard Line STARe for pressure measurements of 1 to 30 bar
SL21K-100k-A/GXX
100 kPa
40
70
130
mV@5V
SL21K-250k-A/GXX
250 kPa
60
100
140
mV@5V
SL21K-500k-A/GXX
500 kPa
60
100
140
mV@5V
SL21K-01M0-A/GXX
1.0 MPa
60
100
140
mV@5V
SL21K-03M0-A/GXX
3.0 MPa
60
100
140
mV@5V
Industrial Line STARe for pressure measurements of 100 mbar to 400 bar
IL20L-10k0-GXX
10 kPa
30
60
120
mV@5V
IL20L-35k0-A/GXX
35 kPa
40
100
160
mV@5V
IL20M-03M0-A/GXX
3.0 MPa
60
100
140
mV@5V
IL20M-100k-A/GXX
100 kPa
60
100
140
mV@5V
IL20M-250k-A/GXX
250 kPa
60
100
140
mV@5V
IL20M-500k-A/GXX
500 kPa
60
100
140
mV@5V
IL20M-01M0-A/GXX
1.0 MPa
60
100
140
mV@5V
IL20M-10M0-A/GXX
10.0 MPa
200
250
300
mV@5V
IL20M-40M0-AXX
40.0 MPa
230
290
350
mV@5V
High Stability Line STARe for pressure measurements of 60 mbar to 400 bar
HS20V-06k0-A/G/D05
6 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20V-10k0-A/G/D05
10 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20L-35k0-A/G/DXX
35 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20L-100k-A/G/DXX
100 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-250k-A/G/DXX
250 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-500k-A/G/DXX
500 kPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-01M0-A/G/DXX
1.0 MPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-03M0-A/G/XX
3.0 MPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-10M0-A/GXX
10.0 MPa
200
250
300
mV@5V
HS20M-20M0-A08
20.0 MPa
60
100
140
mV@5V
HS20M-40M0-A08
40.0 MPa
60
100
140
mV@5V
Harsh Environmental Line for pressure measurements of 2 bar to 16 bar
HE11C-200K-AXX
200 kPa
60
100
140
mV@5V
HE11C-400K-AXX
400 kPa
60
100
140
mV@5V
HE11C-800K-AXX
800 kPa
60
100
140
mV@5V
HE11C-01M6-AXX
1.6 MPa
60
100
140
mV@5V

压力传感器模块

 


供应压力传感器模块,具有极高的长期稳定性、极低的压力与温度滞后、适用于高静态压力、快速响应、高电阻的特点。该系列压力传感器模块广泛应用于,包括:工业、医学领域。

 
Type
Pressure range
min.
typ.
max.
Unit
K-Serie STARe A/G for absolute and relative pressure requirements
K10-HS20V-06k0-A/GXX
6 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20V-10k0-A/GXX
10 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20L-35k0-A/GXX
35 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20L-100k-A/GXX
100 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-250k-A/GXX
250 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-500k-A/GXX
500 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-01M0-A/GXX
1.0 MPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-03M0-A/GXX
3.0 MPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-10M0-A/GXX
10.0 MPa
200
250
300
mV@5V
K10-HS20M-20M0-A08
20.0 MPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-40M0-A08
40.0 MPa
60
100
140
mV@5V
K-Series STARe D for differential pressure requirements
K10-HS20V-06k0-DXX
6 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20L-10k0-DXX
10 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20L-35k0-DXX
35 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20L-100k-DXX
100 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-250k-DXX
250 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-500k-DXX
500 kPa
60
100
140
mV@5V
K10-HS20M-01M0-DXX
1.0 MPa
60
100
140
mV@5V

红外测温仪/红外热像仪 常用红外温度传感器系列 常用红外温度传感器及资料下载红外温度传感器模块摸组  红外线温度传感器一 红外线温度传感器二 红外线温度传感器 红外线温度传感器 四 红外测温模块红外测温模块二 红外测温模块 三 红外测温模块 四 红外热像红外气体分析红外行业应用红外相关配件红外技术资料 红外火焰探测器红外气体分析器件 红外气体分析原理

 热释电红外人体感应传感器系列产品/防盗报警配套元器件

 

红外传感器 RE200B KDS209、PIS209 LHI958LHI878 PD632
红外专用芯片

BISS0001

BISS0002

CS9803GP

KC778B

MB8072

HT7610

M7612

M7610

菲涅尔透镜

7601

7701

7703

7708

菲涅尔透镜选购资料

7709

7802

7803

7807

  7808 8002-1 8002-2 8102
透镜图片选型类

系列1

系列2

系列3

系列4

感应开关,报警器

GH-903

HT-807

GH-608

主动红外入侵探测器

  批量生产 人体红外感应模块

SS-101

红外火焰探测器

  安防防盗报警配套IC
红外出入口控制探测器 吸顶式被动红外探测器
被动红外幕帘式防盗探测器 被动红外探测器
长距离被动红外探测器 无限被动红外FR920
DS835IT 三技术红外探测器
吸顶式三技术红外探测器 长距离三技术红外探测器
光电对射探测器 单射束光电对射探测器
双射束光电对射探测器 四射束光电对射探测器
操作手册 红外测距传感器/距离测量传感器
紫外传感器 被动式红外传感器
汽车尾气四/五气模块 红外气体传感器
红外发射管 红外探测器
红外接收管 红外非接触测温传感器
红外非接触测温模块 非接触红外测温仪
热释电红外传感器 红外中断开关
光电编码元件 光电组件
红外中断开关 热电堆传感器
紫外光敏管、紫外光管、紫外光电管详细资料下载 红外发射二极管

SS-101红外线人体感应模块使用说明  SS-968微波感应模块/雷达探测模块使用说明  SS-9261微波感应模块/雷达探测模块使用说明

安防产品 主动红外 被动红外 门窗磁控感应器
其它产品 电子元器件产品 液位传感器 接近传感器
干簧管 磁簧继电器 光电传感器 液位开关
浮子      
CO 红外探测器   CH4红外探测器   CO2红外探测器   SF6红外探测器   SO2红外探测器 HC红外探测器 
红外光源   红外光电气体传感器  NDIR红外气体传感器  红外温度传感器  红外气体分析器件
CO2红外光源   CH4红外光源   CO红外光源   C3H8红外光源   C4H10红外光源   C2H4红外光源   C2H2红外光源      SF6红外光源   SO2红外光源   HC红外光源  
 

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