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英国Sens-Tech公司
Edinburgh Instruments
英国Pyreos公司
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美国OSI公司
美国Moxtek公司
德国Laser Components
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美国Vertilon公司
美国On-Trak公司
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美国CVI Melles Griot
美国Kaiser公司
德国Codixx公司
Xavitech公司
MICROWATT公司
LED MICRSENSOR
瑞士MBE公司
美国Helioworks
德国MICRO-HYBRID
hawkeyetechnologies
瑞士Leister
美国ICX
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inno-spec GmbH
LEYSOP Ltd.
GenUV
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Micro-Sensor GmbH
NOC Ltd.
IBSG
INTEX
RealLight Technology
SDS Systems Development
Wavelength Technology
IFW Optronics GmbH
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德国SGLUX
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Becker & Hickl
id Quantique
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Vigo
MCT
Art Photonics GmbH
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My Polymers Ltd.
EPIGAP Optronic
德国 First Sensor
美国CALSENSORS探测器
LED MICROSENSORS NT
世界最小人体检测传感器
光离子气体传感器
红外气体传感器
红外产品/传感器
条形码传感器HOA6480
反射式光电套件
槽型红外光电传感器
编码器传感器
光电斯密特接收管
光电晶体(接收管)
红外发射二极管
光纤传感器
光纤位移传感器
光纤应变传感器
光纤压力传感器
光纤温度传感器
光纤信号调理器
光纤折射率传感器
光电传感器/光谱仪
特种光纤类
光谱仪类
视觉传感器类
测量类
光电传感器类
微波传感器
其它传感器
热释电红外传感器PIR
菲涅尔透镜Fresnel
热释电红外信号处理专用芯片/人体红外感应
光敏电阻光敏传感器
亮度及环境光传感器及IC
微波传感器及模块
超声波传感器及模块
红外感应传感器及模块
红外/紫外火焰传感器及模块

被动式人体感应模块 

红外感应开关的原理

SS-101系红外感应列产品

常用标准型号红外模块

透镜超小型红外模块

长条超小透镜红外模块

长型超小透镜红外模块

分体式模块红外模块

长条分体红外模块

中尺寸分体红外模块

长型分体红外模块

主动式人体感应模块

主动式红外感应模块1

主动式红外感应模块2

红外线感应模块

主动式红外感应模块

低成本全自动红外感应洁具

SS-968雷达模块


-
SS-807感应开关
-
SS-918有线探头
-
SS-9181有线探头
-
SS-032有线探头
-
SS-7832有线探头
+
人体红外线感应模块
-
SS-718人体感应模块
-
SS-7182人体感应模块
-
SS-718C人体感应模块
+
超声波感应模块
-
SS-311超声波感应模块
- S
S-311RT超声波感应模块

  超声波测距模块/测距仪
+
可燃气体感应模块
-
SS-310煤气感应模块
+
315M/433M高频收发模块
-
SS-2082接收模块
-
SS682接收模块
-
SS-610发射模块
+
湿度模块
-
HSM-20G湿度模块
-
HTF3223湿度模块
-
HTF3225湿度模块
+
微波模块
-
SS100微波移动传感器
-
SS-719微波感应模块
+
315M/433M高频工业控制器
-
SS-1226控制器
-
SS-1228控制器
+
烟雾/煤气感应模块
-
SS-312烟雾/煤气感应模块

人体感应开关--墙壁式安装
人体感应开关--吸点式安装

光电器件传感器
紫外线传感器
颜色传感器                 亮度传感器
热释电红外传感器
光敏电阻
                   光敏传感器
VTL5C系列模拟光隔离器
光电晶体管
CPM端窗式光电倍增管以及模块
单光子计数模块
NDIR红外气体传感器
红外温度传感器
红外光源
CCD图像传感器;线阵CCD相机
激光器件;大功率红外发射管
高速PN、PIN、APD等光电探测器
X射线探测器
 
用于火焰检测的紫外线传感器
  三频红外火焰探测器
用于光强检测的紫外线传感器
EPL晶圆
UV裸片
UV-A传感器
UV-B传感器
UV-C传感器
SYP-UVT46A/SYP-UVT46B
UV模块
型号编码系统
选择指南
封装尺寸
UV传感器应用
UV指数监察
光源监察
火焰监察
UV吸收光譜
UV物质微调
 UV辐射
UV指数
应用电路
 
 
红外光电系列
光电二极管
光电晶体管
特殊光探测器
光电耦合器
红外发射管
红外接收管/红外线接收器
 红外接收头
 光敏三极管
 光电传感IC
硅光电池管
太阳能电池
镭射激光管/激光二极管
发光二极管
传感器件系列
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 反射式开/反射式光电传感器
 红外数据头/数据传输器
        霍尔传感器
        光纤传感器
        人体传感器
        声波传感器
        气体传感器
        温湿传感器
        颜色传感器
        压力传感器
        菲涅尔透镜
        接近传感器
        微波感应器
高频元件系列
        双栅场效应管
        高频微波管
集成IC系列
        红外数据IC
        红外遥控IC
        蓝牙通讯IC
        图像传感器
光鼠球鼠对管IC
摄像数字影像IC
手机周设/手机IC
光电藕合器IC
光管/激光IC
光电开关
反射接近开关
红外接收管
红外发射管
红外接收头
光敏接收管
发光管/数码管
光纤接收/发射头
闪光管
放电管
硅光电池
紫外线传感器
热释传感器/菲透镜 
超声波传感
霍尔元件干簧管/磁传感器 
数据传输器
热电堆/红外测温计
光敏电阻
紫外发光二极管
深紫外发光二极管
近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管
大功率深紫外发光二极管
发光二极管驱动
激光二极管
气体分析用激光二极管
通用激光二极管  
光纤耦合激光二极管
大功率泵浦激光二极管模块
超辐射激光二极管  
激光二极管驱动控制器  
激光二极管配件
半导体光学放大器
红外发光二极管
中红外发光二极管
近红外发光二极管
大功率红外发光二极管
发光二极管驱动
光电探测器
热电堆探测器
热释电探测器
中红外光电探测器
紫外探测器  
硅光电探测器
锗光电探测器
InGaAs光电探测器
双波段探测器
德国倍加福P+F
PerkinElmer
德国海曼HEIMAAN传感器
光电传感器德国SICK
光电传感器美国HONEYWELL
DI-SORIC传感器
宝德Burkert
施迈赛Schmersal 
SMC气动元件
SKF轴承系列产品
日本基恩士KEYENCE
日本竹中(TAKEX)
欧姆龙(OMRON)
基恩士( KEYENCE)
神视 (SUNX)
德国倍加福P+F
boseline-mocon
ICX
图尔克TURCK
SETRA
DANAHER
IMT
HAMAMATSU滨松
KODENSHI
ALEPH
GE
SIEMENS
YAMATAKE
OPTEK
E2V
WIKA
LITEON
OSRAM
SANYO
SHARP
STANLEY
VISHAY
EVERLIGHT
OPTO SENSOR
PANASONIC
ROHM
TAOS
安捷伦AGILENT
MEAS传感器
 
 
 
 
 
LEDS 探测器Detectors 电子 开发板Evaluation Kits 应用 其它资料
LED MICROSENSORS NT公司产品基本目录,配套的中红外探测器。中红外发光二极管LED和光电二极体PD在光学分析系统中具有很大的潜力。在中红外光谱范围1600-5000nm,对于绝大多数的气体和液体来说有很强的吸收带,比如:甲烷CH4 , H2O, 二氧化碳CO2, 一氧化碳CO, 乙炔C2H2,  乙烯C2H4, 乙烷C2H6, 氯甲烷CH3Cl, 氧硫化碳OCS, 氯化氢HCl, 次氯酸HOCl, 溴化氢HBr, 硫化氢H2S, 氢化氰HCN, 氨气NH3, 二氧化氮NO2, 二氧化硫SO2 , 葡萄糖glucose和许多其它物质。下面列出了部分气体在中红外范围的吸收带。
 
气体 吸收带(um) 气体 吸收带(um) 气体 吸收带(um) 气体 吸收带(um)
CH4 3.2-3.45 HCL 3.3-3.7 H2O 2.5-2.8,1.8-1.9 N2 4.0-4.54
C2H2 2.99-3.09 HOCL 2.6-2.9 CO2 4.2-4.3 NH3 2.27,2.94
C2H4 3.1-3.4 HBr 3.7-4.0 OH- 2.38-2.63 NO+ 4.08-4.44
C2H6 3.3 HI 2.27-2.3 H2CO 3.38-3.7 HNO3 5.74-5.98
CH3CL 3.22-3.38 H2S 3.7-4.4,2.5-2.8 CO 4.4-4.8 NO2 3.4
OCS 3.45,4.87 HCN 2.94-3.1 HO2 2.73-3.1 SO2 4.0

我们提供完整的产品线,封装有TO-18,TO-18PR,TO-18PRW,TO-5-TEC,TO-5-TEC-PR,SMD3,SMD5,SMD5R,SMD5R-3M,还提供LED组,LED阵列。

  TO-18 TO-18 with PR TO-5 TO-5 with PR TO-8
with/without window with/without thermoelectric module
applied to LED, PD LED, PD, LED-matrix LED-matrix
SMD Packages 3x3 mm 5x5 mm 5x5 mm
with microreflector
5x5 mm
for 3-element matrix
applied to LED LED-matrix

Light Emitting Diodes for 1600-2400 nm spectral range

LEDs for 1.6-2.4 µm spectral range are fabricated from narrow band-gap GaInAsSb/AlGaAsSb-based
heterostructures lattice matched to GaSb substrate.

 

  • Maximum operating current at quasi-CW mode is 250 mA;
  • Maximum operating current at pulse mode is 2 000 mA;
  • Switching time is 30-50 ns;
  • Operating temperature range is -200...+50 °C.
Model Peak emission
wavelength, nm
FWHM of the
emission band, nm
Power, mW Voltage, V Maximum operating
current, mA
Switching
time, ns
Operating
temperature
range, OC
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max QCW mode Pulse mode
Standard LED models (LED chip with circular or ring top contact) - LmsXXLED
Lms18LED 1.80 1.89 100 200 0.7 1.1 15 25 0.5-1.5 250 2000 10-30 -200...+50
Lms19LED 1.90 1.99 100 200 0.8 1.2 20 30 0.5-1.5 250 2000 10-30 -200...+50
Lms20LED 2.00 2.09 150 250 0.8 1.2 20 30 0.5-1.5 250 2000 10-30 -200...+50
Lms21LED 2.10 2.19 150 250 0.8 1.2 15 25 0.5-1.0 250 2000 10-30 -200...+50
Lms22LED 2.20 2.29 150 250 0.8 1.2 15 25 0.5-1.0 250 2000 10-30 -200...+50
Lms23LED 2.30 2.39 170 270 0.6 1.0 12 20 0.5-1.0 250 2000 10-30 -200...+50
LED Flip-Chip models (top surface of a LED chip is free of contacts) - LmsXXLED-FC
Lms16LED-FC 1.60 1.69 70 150 0.8 2.0 20 35 0.8-4.8 150-200 1000 10-30 -200...+50
Lms17LED-FC 1.70 1.79 100 160 0.8 2.0 20 35 0.8-4.8 150-200 1000 10-30 -200...+50
Lms18LED-FC 1.80 1.89 100 180 0.7 1.4 20 30 0.6-2.0 200 1000 10-30 -200...+50
Lms19LED-FC 1.90 1.99 100 180 0.8 1.6 20 35 0.6-2.4 200 1000 10-30 -200...+50
Lms20LED-FC 2.00 2.09 140 220 0.8 2.0 20 35 0.5-1.0 200 1000 10-30 -200...+50
Lms21LED-FC 2.10 2.19 200 300 0.8 2.5 20 40 0.6-2.8 200 1000 10-30 -200...+50
Lms22LED-FC 2.20 2.29 200 300 0.8 2.5 20 40 0.6-2.8 200 1000 10-30 -200...+50
Lms23LED-FC 2.30 2.37 200 340 0.8 1.4 20 30 1.2-2.8 200 1000 10-30 -200...+50

 * Repetition rate: 0.5 kHz, pulse duration: 1 ms, duty circle: 50%, current: 200 mA
** Repetition rate: 1 kHz, pulse duration: 1 µs, duty circle: 0.1%, current: 1 A
 

Light Emitting Diodes for 2800-5000 nm spectral range

Light Emitting Diodes for 2800-5000 nm spectral range are fabricated from narrow band-gap InAsSb/InAsSbP-based heterostructures lattice-matched to InAs substrate.

 

 

  • Maximum operating current at quasi-CW mode is 250 mA;
  • Maximum operating current at pulse mode is 2 000 mA;
  • Switching time is 30-50 ns;
  • Operating temperature range is -200...+50 °C.
Model Peak emission
wavelength, nm
FWHM of the
emission band, nm
Power, µW Voltage, V Maximum operating
current, mA
Switching
time, ns
Operating
temperature
range, OC
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max QCW mode Pulse mode
Standard LED models (LED chip with circular or ring top contact) - LmsXXLED
LMS34LED 3.30 3.49 400 600 25 45 320 480 0.2-0.5 250 2000 10-30 -200...+50
LMS34LED high power 3.30 3.49 400 500 45 80 480 720 0.2-0.5 250 2000 10-30 -200...+50
Lms38LED 3.70 3.84 500 700 20 40 180 220 0.5-0.8 250 2000 10-30 -200...+50
Lms39LED 3.85 3.94 550 750 15 30 180 220 0.5-0.8 250 2000 10-30 -200...+50
Lms41LED 3.95 4.09 700 1000 15 30 180 220 0.5-0.7 250 2000 10-30 -200...+50
Lms43LED 4.10 4.30 700 1000 8 12 180 220 0.2-0.8 250 2000 10-30 -200...+50
Lms46LED 4.40 4.60 800 1100 4 8 120 160 1.6-2.6 250 2000 10-30 -200...+50

 * Repetition rate: 0.5 kHz, pulse duration: 1 ms, duty circle: 50%, current: 200 mA
** Repetition rate: 1 kHz, pulse duration: 1 µs, duty circle: 0.1%, current: 1 A
LED发光二极管阵列和矩阵可用的 现提供LMS34LED-4M和LMS43LED-4M为提供输出功率的4芯片阵列 另外LMS34LED,LMS43LED价格更优惠,为CO2,CH4检测提供。

中红外发光二极管驱动
LED驱动D41/D51驱动器 提供不带致冷和带致冷2个版本
 

 

Middle-Infrared LEDs

Our mid-infrared (1600-5000 nm range) Light emitting diodes (LEDs) possess certain competitive advantages:

✔ Compact size of the LED chip – 0.35x0.35 mm
✔ Possibility to arrange multi-element arrays enables obtaining multi-wavelength emitters in single compact packages
✔ No need of optical filters - LEDs emission band widths are comparable with absorption band widths of many chemical agents
✔ Capability to provide sufficient selectivity and accuracy for different sensing applications
✔ Low power consumption ( <1 mW)
✔ Short response time – 10-50 ns
✔ Modulation ranges of up to 100 MHz can be achieved
✔ Operation temperatures up to +150°C
✔ Lifetime 80 000 hours


We offer:
One-element LED models with 1.6-2.4µm peak wavelengths (GaSb-based) and 2.8-5.0µm (InAs-based).

There are two types of LED chip design:
▪ with circular or ring top contact
▪ with top surface free of contacts (flip-chip)

Beside standard LED models our product line includes LEDs with a special glass covering and LED arrays.
 

LED Models

We offer:
✔ A line of standard LEDs (LED chip with circular or ring top contact) with 1.6-2.4µm peak wavelengths (GaSb-based) and 2.8-5.0µm (InAs-based).
✔ A line of flip-chip bonded LEDs (LED chip top surface is free of contacts) with 1.6-2.4µm peak wavelengths (GaSb-based).


GaSb-based LEDs
LEDs for 1.6-2.4 µm spectral range are fabricated from narrow band-gap GaInAsSb/AlGaAsSb-based heterostructures lattice matched to GaSb substrate.
 

✔ Maximum operating current at quasi-CW mode is 250 mA;
✔ Maximum operating current at pulse mode is 2 000 mA;
✔ Switching time is 30-50 ns;


Model Peak emission
wavelength, µm
FWHM of the
emission band, nm
Power, mW Voltage, V Maximum operating
current, mA
Storage
temp., °С
Operating
temp., °С
Datasheet
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max QCW mode Pulse mode
Standard LED models (LED chip with circular or ring top contact) - LmsXXLED
Lms16LED 1.61 1.69 100 4 8 - - 0.8-1.1 200 - - -200..+50
Lms17LED 1.71 1.76 150 250 5.5 7.5 - - 0.5-1.0 200 - - -200..+50
Lms18LED 1.80 1.89 100 200 0.7 1.1 15 25 0.5-1.5 250 2000 - -200..+50
Lms19LED 1.90 1.99 100 200 0.8 1.2 20 30 0.5-1.5 250 2000 - -200..+50
Lms20LED 2.00 2.09 150 250 0.8 1.2 20 30 0.5-1.5 250 2000 - -200..+50
Lms21LED 2.10 2.19 150 250 0.8 1.2 15 25 0.5-1.0 250 2000 - -200..+50
Lms22LED 2.20 2.29 150 250 0.8 1.2 15 25 0.5-1.0 250 2000 - -200..+50
Lms23LED 2.30 2.39 170 270 0.6 1.0 12 20 0.5-1.0 250 2000 - -200..+50
LED Flip-Chip models (top surface of a LED chip is free of contacts) - LmsXXLED-FC
Lms16LED-FC discontinued
Lms17LED-FC discontinued
Lms18LED-FC discontinued
Lms19LED-FC 1.90 1.99 100 180 0.8 1.6 20 35 0.6-2.4 200 1000 - -200..+50
Lms20LED-FC 2.00 2.09 140 220 0.8 2.0 20 35 0.5-1.0 200 1000 - -200..+50
Lms21LED-FC 2.10 2.19 200 300 0.8 2.5 20 40 0.6-2.8 200 1000 - -200..+50
Lms22LED-FC 2.20 2.29 200 300 0.8 2.5 20 40 0.6-2.8 200 1000 - -200..+50
Lms23LED-FC 2.30 2.37 200 340 0.8 1.4 20 30 1.2-2.8 200 1000 - -200..+50

* Repetition rate: 0.5 kHz, pulse duration: 1 ms, duty cycle: 50%, current: 200 mA (for Lms16LED; Lms17LED models - 100 mA)
** Repetition rate: 1 kHz, pulse duration: 1 µs, duty cycle: 0.1%, current: 1 A InAs-based LEDs
 

Light Emitting Diodes for 2800-5000 nm spectral range are fabricated from narrow band-gap InAsSb/InAsSbP-based heterostructures lattice-matched to InAs substrate.

Maximum operating current at quasi-CW mode is 250 mA
Maximum operating current at pulse mode is 2 000 mA
Switching time is 30-50 ns

 

Model Peak emission
wavelength, µm
FWHM of the
emission band, nm
Power, µW Voltage, V Maximum operating
current, mA
Storage
temp., °С
Operating
temp., °С
Datasheet
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max QCW mode Pulse mode
Standard LED models (LED chip with circular or ring top contact) - LmsXXLED
LMS34LED 3.30 3.49 400 600 25 45 320 480 0.2-0.5 250 2000 - -200..+50
LMS34LED
high power
3.30 3.49 400 500 45 80 480 720 0.2-0.5 250 2000 - -200..+50
Lms36LED 3.50 3.69 400 600 20 40 180 220 0.2-0.5 250 2000 - -200..+50
Lms38LED 3.70 3.94 500 700 20 40 180 220 0.5-0.8 250 2000 - -200..+50
Lms41LED 3.95 4.09 700 1000 15 30 180 220 0.5-0.7 250 2000 - -200..+50
Lms43LED 4.10 4.30 700 1000 8 12 180 220 0.2-0.8 250 2000 - -200..+50
Lms46LED 4.40 4.60 700 1100 2 4 100 140 1.5-3.0 250 2000 - -200..+50
LED models with glass covering - LmsXXLED-CG
Lms34LED-CG 3.30 3.55 250 600 80 - 950 - 0.2-0.5 250 1000 0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50
0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50
Lms38LED-CG 3.70 3.94 500 700 45 - 500 - 0.2-0.8 250 1000 0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50
0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50
Lms43LED-CG 4.10 4.30 600 1200 25 - 500 - 0.2-0.8 250 1000 0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50
0..+50 Last data revision: 31.07.2015
previous value: -25..+50

 

* Repetition rate: 0.5 kHz, pulse duration: 1 ms, duty cycle: 50%, current: 200 mA

** Repetition rate: 1 kHz, pulse duration: 1 µs, duty cycle: 0.1%, current: 1 A

Standard one-wavelength matrices

Currently we offer the following standard LED matrix type with a one peak wavelength and increased optical power - 4-element LED matrix with a one peak wavelength at 3.4 µm or 4.3 µm in TO18 package with a cap/reflector and with a sapphire window or in TO5 package with a built-in thermoelectric module with a cap/reflector and with a sapphire window.

Overview brochure 





 

 

LED chip type Peak emission
wavelength, µm
FWHM of the
emission band, nm
Power, µW Voltage, V Maximum operating
current, mA
Operating
temperature
range, OC
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max QCW mode Pulse mode
Lms34LED-4M 3.30 3.49 400 600 90 160 1000 1700 0.2-0.5 1000 8000 -60...+80
Lms43LED-4M 4.10 4.30 700 1000 25 45 650 800 0.2-0.8 1000 8000 -60...+80
 



Standard matrix packages:
TO-18 package with a cap

TO-18 package with a reflector

 

Standard multi-wavelength matrices

Currently we offer the following standard LED matrix type with a multipeak wavelength - 6-element LED matrix with peak wavelengths at 1.8, 1.9, 2.0, 2.1, 2.2 and 2.3 µm in TO5 or in TO8 package with a built-in thermoelectric module and a parabolic reflector with a quartz window.

Overview brochure 





 

 

LED chip type Peak emission
wavelength, µm
FWHM of the
emission band, nm
Power, mW Voltage, V Operating
temperature
range, OC
QCW mode * Pulse mode **
min max min max min max min max
Lms18LED 1.80 1.89 100 200 0.5 1.1 8 25 0.5-1.5 -60...+80
Lms19LED 1.90 1.99 100 200 0.6 1.2 15 30 0.5-1.5 -60...+80
Lms20LED 2.00 2.09 150 250 0.6 1.2 15 30 0.5-1.5 -60...+80
Lms21LED 2.10 2.19 150 250 0.6 1.2 10 25 0.5-1.0 -60...+80
Lms22LED 2.20 2.29 150 250 0.6 1.2 10 25 0.5-1.0 -60...+80
Lms23LED 2.30 2.39 170 270 0.5 1.0 8 20 0.5-1.0 -60...+80
 



Standard matrix packages:
TO-5 package with a cap

TO-8 package with a thermoelectronic module with a cap

 

Custom Matrices

For the custom arrays and matrices the number elements included depends on the application and the chosen package type. Standard TO-type packages offered by RMT Ltd. can be used. Packages with built-in thermoelectric modules (Peltier elements) provide temperature stabilisation of LED chip parameters. Use of these packages allows creation of different variations of LED arrays and matrices arrangements, some of which are presented below.

LED matrix type Package type
TO-18 TO-5 TO-5 TEM TO-8 TEM PS-28 TEM MS-32 TEM
One-wavelength LED matrices
LmsXXLED-2M        
LmsXXLED-2M-TEM          
LmsXXLED-3M        
LmsXXLED-3M-TEM          
LmsXXLED-4M        
LmsXXLED-4M-TEM        
LmsXXLED-6M          
LmsXXLED-6M-TEM          
LmsXXLED-9M          
LmsXXLED-9M-TEM          
LmsXXLED-12M          
LmsXXLED-12M-TEM        
LmsXXLED-16M          
LmsXXLED-16M-TEM        
Multi-wavelength LED matrices
Lms X1-X2 LED-2M (2 peak wl)        
Lms X1-X2 LED-2M-TEM (2 peak wl)          
Lms X1-X2-X3 LED-3M (3 peak wl)          
Lms X1-X2-X3 LED-3M-TEM (3 peak wl)          
Lms X1-X2 LED-4M (2 peak wl)        
Lms X1-X2 LED-4M-TEM (2 peak wl)        
Lms X1÷X4 LED-4M (4 peak wl)          
Lms X1÷X4 LED-4M-TEM (4 peak wl)          
Lms X1÷X6 LED-6M (up to 6 peak wl)          
Lms X1÷X6 LED-6M-TEM (up to 6 peak wl)          
Lms X1-X2 LED-16M (up to 4 peak wl)          
Lms X1÷X9 LED-9M-TEM (up to 9 peak wl)          
Lms X1÷X20 LED-20M-TEM        
 

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