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工业级宽温44针IDE闪存模块

APRO工业宽温44针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的SMI闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级常温闪存模块工作温度是 -40℃ +85℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案

特点

      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术

      真正支持IDE模式 

      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4

      支持磨损平整和先进的坏区管理算法

      可选择垂直安装或水平安装

      可选择主盘/从盘设置

      工作电压 +5V

      存储容量从128MB~32GB

      工作温度范围 -40℃ +85℃

规格说明

●符合RoSH环保                                                                                     

●兼容性                                                  ATAPI-6Ture IDE

●闪存技术                                                NANDSLC Flash

●样式                                                    垂直型和水平

  ◆连接                                                   44

●系统性能

  ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4

  ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec UDMA-4方式下测试速度

  ◆连续读                                                 45.0MB/sec(Max)

  ◆连续写                                                 31.0MB/sec(Max)

  ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)

●环境指标

  ◆工作温度                                               -40℃ +85℃

  ◆非工作温度                                             -50℃ +95℃

  ◆湿度                                                   5% 95%(无凝结)

  ◆噪声                                                   0db

  ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆高度                                                   70.000M

●功耗

  电压要求                                                               +5V±10% ;

  读电流                                                                  50.4 mA(Max.);

  ◆写电流                                                                59.4 mA(Max.);

  休眠模式电流                                          0.2 mA(Max.);

●可靠性

  MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上

  纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code

  ◆读写次数                                                                                             2.000.000

  数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误

  数据保存期                                                                                        10

●物理尺度

  重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)

  尺寸(**)                                     垂直型52.2mm *23.8mm *6.5mm: 水平型44.0mm*28.0mm*5.8mm

●质保                                                   5

产品订购信息(型号清单)

样式

40针IDE闪存模块

工作温度

-40℃ +85℃

产品图片

容量

类型

PIO-4

UDMA-4

44针垂直型

128MB

垂直

WPMIF128M-MAISI-4V-P

WPMIF128M-MAISI-4V-U

128MB

水平右

WBMIF128M-MAISI-4R-P

WBMIF128M-MAISI-4R-U

128MB

水平左

WBMIF128M-MAISI-4L-P

WBMIF128M-MAISI-4L-U

256MB

垂直

WPMIF256M-MAISI-4V-P

WPMIF256M-MAISI-4V-U

256MB

水平右

WBMIF256M-MAISI-4R-P

WBMIF256M-MAISI-4R-U

256MB

水平左

WBMIF256M-MAISI-4L-P

WBMIF256M-MAISI-4L-U

512MB

垂直

WPMIF512M-MAISI-4V-P

WPMIF512M-MAISI-4V-U

512MB

水平右

WBMIF512M-MAISI-4R-P

WBMIF512M-MAISI-4R-U

512MB

水平左

WBMIF512M-MAISI-4L-P

WBMIF512M-MAISI-4L-U

44针水平型向右

1GB

垂直

WPMIF001G-MAISI-4V-P

WPMIF001G-MAISI-4V-U

1GB

水平右

WBMIF001G-MAISI-4R-P

WBMIF001G-MAISI-4R-U

1GB

水平左

WBMIF001G-MAISI-4L-P

WBMIF001G-MAISI-4L-U

2GB

垂直

WPMIF002G-MAISI-4V-P

WPMIF002G-MAISI-4V-U

2GB

水平右

WBMIF002G-MAISI-4R-P

WBMIF002G-MAISI-4R-U

2GB

水平左

WBMIF002G-MAISI-4L-P

WBMIF002G-MAISI-4L-U

4GB

垂直

WPMIF004G-MAISI-4V-P

WPMIF004G-MAISI-4V-U

4GB

水平右

WBMIF004G-MAISI-4R-P

WBMIF004G-MAISI-4R-U

4GB

水平左

WBMIF004G-MAISI-4L-P

WBMIF004G-MAISI-4L-U

44针水平型向左

8GB

垂直

WPMIF008G-MAISI-4V-P

WPMIF008G-MAISI-4V-U

8GB

水平右

WBMIF008G-MAISI-4R-P

WBMIF008G-MAISI-4R-U

8GB

水平左

WBMIF008G-MAISI-4L-P

WBMIF008G-MAISI-4L-U

16GB

垂直

WPMIF016G-MAISI-4V-P

WPMIF016G-MAISI-4V-U

16GB

水平右

WBMIF016G-MAISI-4R-P

WBMIF016G-MAISI-4R-U

16GB

水平左

WBMIF016G-MAISI-4L-P

WBMIF016G-MAISI-4L-U

32GB

垂直

WPMIF032G-MAISI-4V-P

WPMIF032G-MAISI-4V-U

32GB

水平右

WBMIF032G-MAISI-4R-P

WBMIF032G-MAISI-4R-U

32GB

水平左

WBMIF032G-MAISI-4L-P

WBMIF032G-MAISI-4L-U

 

工业级宽温40针IDE闪存模块

APRO工业宽温40针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级宽温闪存模块工作温度是 -40℃ +85℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案

特点

      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术

      真正支持IDE模式 

      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4

      支持磨损平整和先进的坏区管理算法

      可选择垂直安装或水平安装

      可选择主盘/从盘设置

      工作电压 +5V

      存储容量从128MB~32GB

      工作温度范围 -40℃ +85℃

规格说明

●符合RoSH环保                                                                                     

●兼容性                                                  ATAPI-6Ture IDE

●闪存技术                                                NANDSLC Flash

●样式                                                    垂直型和水平

  ◆连接                                                   40

●系统性能

  ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4

  ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec UDMA-4方式下测试速度

  ◆连续读                                                 40.0MB/sec(Max)

  ◆连续写                                                 17.0MB/sec(Max)

  ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)

●环境指标

  ◆工作温度                                               -40℃ +85℃

  ◆非工作温度                                             -50℃ +95℃

  ◆湿度                                                   5% 95%(无凝结)

  ◆噪声                                                   0db

  ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆高度                                                   70.000M

●功耗

  电压要求                                                               +5V±10% ;

  读电流                                                                  128.0 mA(Max.);

  ◆写电流                                                                118.0 mA(Max.);

  休眠模式电流                                          1.8 mA(Max.);

●可靠性

  MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上

  纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code

  ◆读写次数                                                                                             2.000.000

  数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误

  数据保存期                                                                                        10

●物理尺度

  重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)

  尺寸(**)                                     垂直型60.2mm *27.79mm *6.4mm: 水平型55.0mm*32.4mm*7.4mm

●质保                                                   5

产品订购信息(型号清单)

样式

40针IDE闪存模块

工作温度

-40℃ +85℃

产品图片

容量

类型

PIO-4

UDMA-4

40针垂直型

128MB

垂直

WPMIF128M-HAISI-0V-P

WPMIF128M-HAISI-0V-U

128MB

水平右

WBMIF128M-HAISI-0R-P

WBMIF128M-HAISI-0R-U

128MB

水平左

WBMIF128M-HAISI-0L-P

WBMIF128M-HAISI-0L-U

256MB

垂直

WPMIF256M-HAISI-0V-P

WPMIF256M-HAISI-0V-U

256MB

水平右

WBMIF256M-HAISI-0R-P

WBMIF256M-HAISI-0R-U

256MB

水平左

WBMIF256M-HAISI-0L-P

WBMIF256M-HAISI-0L-U

512MB

垂直

WPMIF512M-HAISI-0V-P

WPMIF512M-HAISI-0V-U

512MB

水平右

WBMIF512M-HAISI-0R-P

WBMIF512M-HAISI-0R-U

512MB

水平左

WBMIF512M-HAISI-0L-P

WBMIF512M-HAISI-0L-U

40针水平型向右

1GB

垂直

WPMIF001G-HAISI-0V-P

WPMIF001G-HAISI-0V-U

1GB

水平右

WBMIF001G-HAISI-0R-P

WBMIF001G-HAISI-0R-U

1GB

水平左

WBMIF001G-HAISI-0L-P

WBMIF001G-HAISI-0L-U

2GB

垂直

WPMIF002G-HAISI-0V-P

WPMIF002G-HAISI-0V-U

2GB

水平右

WBMIF002G-HAISI-0R-P

WBMIF002G-HAISI-0R-U

2GB

水平左

WBMIF002G-HAISI-0L-P

WBMIF002G-HAISI-0L-U

4GB

垂直

WPMIF004G-HAISI-0V-P

WPMIF004G-HAISI-0V-U

4GB

水平右

WBMIF004G-HAISI-0R-P

WBMIF004G-HAISI-0R-U

4GB

水平左

WBMIF004G-HAISI-0L-P

WBMIF004G-HAISI-0L-U

40针水平型向左

8GB

垂直

WPMIF008G-HAISI-0V-P

WPMIF008G-HAISI-0V-U

8GB

水平右

WBMIF008G-HAISI-0R-P

WBMIF008G-HAISI-0R-U

8GB

水平左

WBMIF008G-HAISI-0L-P

WBMIF008G-HAISI-0L-U

16GB

垂直

WPMIF016G-HAISI-0V-P

WPMIF016G-HAISI-0V-U

16GB

水平右

WBMIF016G-HAISI-0R-P

WBMIF016G-HAISI-0R-U

16GB

水平左

WBMIF016G-HAISI-0L-P

WBMIF016G-HAISI-0L-U

32GB

垂直

WPMIF032G-HAISI-0V-P

WPMIF032G-HAISI-0V-U

32GB

水平右

WBMIF032G-HAISI-0R-P

WBMIF032G-HAISI-0R-U

32GB

水平左

WBMIF032G-HAISI-0L-P

WBMIF032G-HAISI-0L-U

 

 

工业级常温44针IDE闪存模块

APRO工业常温44针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级常温闪存模块工作温度是 0℃ 70℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案

特点

      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术

      真正支持IDE模式 

      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4

      支持磨损平整和先进的坏区管理算法

      可选择垂直安装或水平安装

      可选择主盘/从盘设置

      工作电压 +5V

      存储容量从128MB~32GB

      工作温度范围0℃ 70℃

规格说明

●符合RoSH环保                                                                                     

●兼容性                                                  ATAPI-6Ture IDE

●闪存技术                                                NANDSLC Flash

●样式                                                    垂直型和水平

  ◆连接                                                   44

●系统性能

  ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4

  ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec UDMA-4方式下测试速度

  ◆连续读                                                 40.0MB/sec(Max)

  ◆连续写                                                 17.0MB/sec(Max)

  ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)

●环境指标

  ◆工作温度                                               0℃ 70℃

  ◆非工作温度                                             -20℃ +85℃

  ◆湿度                                                   5% 95%(无凝结)

  ◆噪声                                                   0db

  ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆高度                                                   70.000M

●功耗

  电压要求                                                               +5V±10% ;

  读电流                                                                  128.0 mA(Max.);

  ◆写电流                                                                118.0 mA(Max.);

  休眠模式电流                                          1.8 mA(Max.);

●可靠性

  MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上

  纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code

  ◆读写次数                                                                                             2.000.000

  数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误

  数据保存期                                                                                        10

●物理尺度

  重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)

  尺寸(**)                                     垂直型50.25mm *27.27mm *5.8mm: 水平型48.0mm*32.6mm*4.5mm

●质保                                                   3

产品订购信息(型号清单)

样式

44针IDE闪存模块

工作温度

0℃ 70℃

产品图片

容量

类型

PIO-4

UDMA-4

44针垂直型

128MB

垂直

SPMIF128M-HACSC-4V-P

SPMIF128M-HACSC-4V-U

128MB

水平右

SBMIF128M-HACSC-4R-P

SBMIF128M-HACSC-4R-U

128MB

水平左

SBMIF128M-HACSC-4L-P

SBMIF128M-HACSC-4L-U

256MB

垂直

SPMIF256M-HACSC-4V-P

SPMIF256M-HACSC-4V-U

256MB

水平右

SBMIF256M-HACSC-4R-P

SBMIF256M-HACSC-4R-U

256MB

水平左

SBMIF256M-HACSC-4L-P

SBMIF256M-HACSC-4L-U

512MB

垂直

SPMIF512M-HACSC-4V-P

SPMIF512M-HACSC-4V-U

512MB

水平右

SBMIF512M-HACSC-4R-P

SBMIF512M-HACSC-4R-U

512MB

水平左

SBMIF512M-HACSC-4L-P

SBMIF512M-HACSC-4L-U

44针水平型向右

1GB

垂直

SPMIF001G-HACSC-4V-P

SPMIF001G-HACSC-4V-U

1GB

水平右

SBMIF001G-HACSC-4R-P

SBMIF001G-HACSC-4R-U

1GB

水平左

SBMIF001G-HACSC-4L-P

SBMIF001G-HACSC-4L-U

2GB

垂直

SPMIF002G-HACSC-4V-P

SPMIF002G-HACSC-4V-U

2GB

水平右

SBMIF002G-HACSC-4R-P

SBMIF002G-HACSC-4R-U

2GB

水平左

SBMIF002G-HACSC-4L-P

SBMIF002G-HACSC-4L-U

4GB

垂直

SPMIF004G-HACSC-4V-P

SPMIF004G-HACSC-4V-U

4GB

水平右

SBMIF004G-HACSC-4R-P

SBMIF004G-HACSC-4R-U

4GB

水平左

SBMIF004G-HACSC-4L-P

SBMIF004G-HACSC-4L-U

44针水平型向左

8GB

垂直

SPMIF008G-HACSC-4V-P

SPMIF008G-HACSC-4V-U

8GB

水平右

SBMIF008G-HACSC-4R-P

SBMIF008G-HACSC-4R-U

8GB

水平左

SBMIF008G-HACSC-4L-P

SBMIF008G-HACSC-4L-U

16GB

垂直

SPMIF016G-HACSC-4V-P

SPMIF016G-HACSC-4V-U

16GB

水平右

SBMIF016G-HACSC-4R-P

SBMIF016G-HACSC-4R-U

16GB

水平左

SBMIF016G-HACSC-4L-P

SBMIF016G-HACSC-4L-U

32GB

垂直

SPMIF032G-HACSC-4V-P

SPMIF032G-HACSC-4V-U

32GB

水平右

SBMIF032G-HACSC-4R-P

SBMIF032G-HACSC-4R-U

32GB

水平左

SBMIF032G-HACSC-4L-P

SBMIF032G-HACSC-4L-U

 

工业级宽温44针IDE闪存模块

APRO工业宽温44针IDE闪存模块又称DOM盘,它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术,工业级宽温闪存模块工作温度是 -40℃ +85℃ 。灵活的外形设计能满足不同客户的需求,安装方式可选择垂直安装或水平安装,其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质,所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用,APRO工业闪存模块是最佳选择方案

特点

      闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术

      真正支持IDE模式 

      数据传输模式PIO-4或者UDMA-4

      支持磨损平整和先进的坏区管理算法

      可选择垂直安装或水平安装

      可选择主盘/从盘设置

      工作电压 +5V

      存储容量从128MB~32GB

      工作温度范围 -40℃ +85℃

规格说明

●符合RoSH环保                                                                                     

●兼容性                                                  ATAPI-6Ture IDE

●闪存技术                                                NANDSLC Flash

●样式                                                    垂直型和水平

  ◆连接                                                   44

●系统性能

  ◆数据传输方式                                           PIO-4或者UDMA-4

  ◆数据传输速率                                           66.6MB/sec UDMA-4方式下测试速度

  ◆连续读                                                 40.0MB/sec(Max)

  ◆连续写                                                 17.0MB/sec(Max)

  ◆平均访问时间                                           0.2ms(估计)

●环境指标

  ◆工作温度                                               -40℃ +85℃

  ◆非工作温度                                             -50℃ +95℃

  ◆湿度                                                   5% 95%(无凝结)

  ◆噪声                                                   0db

  ◆抗震动                                                 20G ,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆抗冲击                                                 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F

  ◆高度                                                   70.000M

●功耗

  电压要求                                                               +5V±10% ;

  读电流                                                                  128.0 mA(Max.);

  ◆写电流                                                                118.0 mA(Max.);

  休眠模式电流                                          1.8 mA(Max.);

●可靠性

  MTBF(无故障工作时间)                                                  3.000.000 小时以上

  纠错码                                                                 采用4 bits ECC Code

  ◆读写次数                                                                                             2.000.000

  数据可靠性                                      每读 1014 比特出现不多于1次不可恢复的错误

  数据保存期                                                                                        10

●物理尺度

  重量 (最大的)                                                                         垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)

  尺寸(**)                                     垂直型50.25mm *27.27mm *5.8mm: 水平型48.0mm*32.6mm*4.5mm

●质保                                                   5

产品订购信息(型号清单)

样式

40针IDE闪存模块

工作温度

-40℃ +85℃

产品图片

容量

类型

PIO-4

UDMA-4

44针垂直型

128MB

垂直

WPMIF128M-HAISI-4V-P

WPMIF128M-HAISI-4V-U

128MB

水平右

WBMIF128M-HAISI-4R-P

WBMIF128M-HAISI-4R-U

128MB

水平左

WBMIF128M-HAISI-4L-P

WBMIF128M-HAISI-4L-U

256MB

垂直

WPMIF256M-HAISI-4V-P

WPMIF256M-HAISI-4V-U

256MB

水平右

WBMIF256M-HAISI-4R-P

WBMIF256M-HAISI-4R-U

256MB

水平左

WBMIF256M-HAISI-4L-P

WBMIF256M-HAISI-4L-U

512MB

垂直

WPMIF512M-HAISI-4V-P

WPMIF512M-HAISI-4V-U

512MB

水平右

WBMIF512M-HAISI-4R-P

WBMIF512M-HAISI-4R-U

512MB

水平左

WBMIF512M-HAISI-4L-P

WBMIF512M-HAISI-4L-U

44针水平型向右

1GB

垂直

WPMIF001G-HAISI-4V-P

WPMIF001G-HAISI-4V-U

1GB

水平右

WBMIF001G-HAISI-4R-P

WBMIF001G-HAISI-4R-U

1GB

水平左

WBMIF001G-HAISI-4L-P

WBMIF001G-HAISI-4L-U

2GB

垂直

WPMIF002G-HAISI-4V-P

WPMIF002G-HAISI-4V-U

2GB

水平右

WBMIF002G-HAISI-4R-P

WBMIF002G-HAISI-4R-U

2GB

水平左

WBMIF002G-HAISI-4L-P

WBMIF002G-HAISI-4L-U

4GB

垂直

WPMIF004G-HAISI-4V-P

WPMIF004G-HAISI-4V-U

4GB

水平右

WBMIF004G-HAISI-4R-P

WBMIF004G-HAISI-4R-U

4GB

水平左

WBMIF004G-HAISI-4L-P

WBMIF004G-HAISI-4L-U

44针水平型向左

8GB

垂直

WPMIF008G-HAISI-4V-P

WPMIF008G-HAISI-4V-U

8GB

水平右

WBMIF008G-HAISI-4R-P

WBMIF008G-HAISI-4R-U

8GB

水平左

WBMIF008G-HAISI-4L-P

WBMIF008G-HAISI-4L-U

16GB

垂直

WPMIF016G-HAISI-4V-P

WPMIF016G-HAISI-4V-U

16GB

水平右

WBMIF016G-HAISI-4R-P

WBMIF016G-HAISI-4R-U

16GB

水平左

WBMIF016G-HAISI-4L-P

WBMIF016G-HAISI-4L-U

32GB

垂直

WPMIF032G-HAISI-4V-P

WPMIF032G-HAISI-4V-U

32GB

水平右

WBMIF032G-HAISI-4R-P

WBMIF032G-HAISI-4R-U

32GB

水平左

WBMIF032G-HAISI-4L-P

WBMIF032G-HAISI-4L-U

 

 

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