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、产品分类介绍:  

A、射频微波元器件

->射频模块/功率管
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频管
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混频器
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放大器
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双工器
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->MOS双极性晶体管

->微波毫米波振荡器

->频率源/频率综合器

->倍频器/倍频器模块

->MMIC混频器

  同轴和波导混频器

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->MMIC KU到KA收发器

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->同轴及波导负载部件

->MMIC同轴及波导衰减器

->同轴定向耦合器部件

->适配器转换

->速调管、行波管检波器

->波导部件和旋转关节

->功分器合路器双工器

->毫米波测试设备

->限幅器

->高功率倍增器

->射频连接/接插/线缆

->射频微波材料

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-> 通信专用元器件

-> 电子管/真空管/闸流管

-> FREESCALE/MOTOROLA

-> ERICSSON爱立信系列

-> NXP/PHILIPS飞利浦系列

-> TOSHIBA东芝系列

-> MITSUBISHI/RENESAS

-> M/A-COM系列

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-> EUDYNA/FUJITSU富士通

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-> NEC日电系列

-> HITACHI/RENESAS日立

-> SONY索尼系列
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UMS

-> Mini-circuits

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-> APT

-> HITTITE

-> ST意法半导体

-> QUALCOMM高通

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-> CML

 

B、光通讯元器件

->光电通讯元器件

->光耦/光电耦合器

->Agilent光模块

->AMP光模块

->SIEMENS光纤收发模块

->OCP光纤收发模块

->CISCO光纤收发模块

->GBIC光纤收发模块

->光纤收发

->常用光电元器件库存

 

C、二极管、三极管

->二极管/变容管/变阻管

->三极管/晶闸管/场效应管

->2SJ系列电子器件

D、无线收发、无线射频IC

E、无线收发模块

F、GSM/CDMA/GPRS通信模块

G、GPS模块/天线/方案

H、扩频模块/MODEM模块

I、遥控器/遥控开关/模块

J、通信继电器/干簧管

K、电源模块/模块电源

L、通信变压器

M、通信防雷器/TVS管

N、无线收发芯片和模组

O、数据通信芯片

 

二、产品图文介绍:

 
 
 
 
 
 
 

 

高功率 SiC和GaN 类射功率晶体管,射频功率模块。

 
 

     美国 Cree Inc 是一家集设计和生产 炭化硅 (Sic) 及氮化钾 (GaN) 芯片和元器件之行业领导先驱, 其产品被广泛用于 WiMax 基站、移动通讯设计, 雷达、EMC功放、电子抗战及军事领域

 

炭化硅材料内在优点, 如高热传导性, 高击穿电场及高功率密度, 使炭化硅MESFET 管适合用于 UHFLS 段宽带功放器。为现今高性能宽带功放器 及 WiMAX 移动通讯设计方案不可缺少之器件。

美国 Cree Inc 是一家集设计和生产 炭化硅 (SiC) 及氮化钾 (GaN) 芯片和元器件之行业领导先驱, 其产品被广泛用于 WiMax 基站、移动通讯设计, 雷达、EMC功放、电子抗战及军事领域
 

Cree 的 SiC MESFET 及 GaN (on SiC) HEMT 微波功率放大器件:宽禁带(Wide Band Gap)材料,导热性能好、击穿电压高、饱和电子迁移速度高(适合做高频宽带器件)、功率密度大(单位栅宽功率),极间电容 / 单位功率小,特别适合做大功率宽带器件。适用于军事、医疗及无线接入基础设施设备。
 
SiC MESFET / CRF240xx频率为 DC~2.7GHz、工作电压为 28~48V,输出功率为 10 / 60W 两档。宽带、高可靠及耐高温性能优异。
 
GaN HEMT / CGH400xxGaN HEMT 的宽带系列,频率为 DC~4GHzCGH40010CGH40025 CGH40035 6GHz),工作电压为 28V,输出功率有 10 / 25 / 35 / 45 / 90 / 120 / 180W 七档。宽带性能优异,可靠及耐高温性能好,无产品具有一定垄断性。
 
GaN HEMT / CGH09 / 21 / 25 / 27 / 35 / 55xxx:GaN HEMT 的高峰均比系列,频率为 DC~6GHz,工作电压为 28V,输出功率有 13 / 30 / 60 / 120 / 240W 五档。适于脉冲放大,线性功放(3G / LTE)及开关类高效率功放。其中 21 及 25 系列带有输入内匹配,其他均不带内匹配。

 

 
 
 
 

 

 

 
SiC MESFET Products
Part Number Current
Revision
Frequency
(GHz)
Output
Power
(W)
Gain
(dB)
Operating
Voltage
(V)
 
CRF24010D 1.5 to 2.7 10 15 28-48  
CRF24010
 
1.8 to 2.7 10 15 28-48  
CRF24060D 1.1 to 2.7 60 13 28-48  
CRF24060 1.3 to 2.7 60 13 28-48  
  S-parameter files for SiC MESFET products.

 

GaN HEMT Products for WiMAX Applications

Part Number Current
Revision
Frequency
(GHz)
Output
Power
(W)
Gain
(dB)
Operating
Voltage
(V)
 
CGH27015 1.8 2.3 – 2.9
 
15 14.5 28  
CGH27030F 1.0 2.3 - 2.7 30 13.5 28  
CGH27060F 1.1 2.3 - 2.7 60 13 28  
CGH35015 1.7 3.3 - 3.9 15 12.0 28  
CGH35030F 1.5 3.3 - 3.9 30 11.0 28  
CGH35060F 1.0 3.3 - 3.9 60 11.5 28  
CGH55015F 1.1 4.9 - 5.8 15 11 28  
CGH55030F 1.1 4.9 - 5.8 30 10 28  

 

GaN HEMT Products for General-Purpose Applications

Part Number Current
Revision
Frequency
(GHz)
Output
Power
(W)
Gain
(dB)
Operating
Voltage
(V)
 
CGH40010 2.0 to 6.0 10 14.5 28  
CGH40025 2.0 to 6.0 25 13 28  
CGH40035 2.0 to 6.0 35 14 28  
CGH40045 2.3 to 4.0 45 14 28  
CGH40090PP 2.0 to 4.0 90 12.5 28  
CGH40120F 0.1 to 4.0 120 19 28  
  S-parameter files for GaN HEMT products.

 

GaN HEMT MMIC Products

Part Number Current
Revision
Frequency
(GHz)
Output
Power
(W)
Gain
(dB)
Operating
Voltage
(V)
 
CMPA0060005F 0.3 20 MHz - 6 GHz 5 17 28-48  
CMPA2560025F 0.4 2.5 - 6 GHz 25 22 28  

 

 

 

 

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