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一、产品分类介绍：　　

A、射频微波元器件

->射频模块/功率管
->射频管/高频管/微波管
->混频器
->放大器
->衰减器
->双工器
->功分器
->隔离器
->开关/射频微波开关
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->混合耦合器
->高频微波电容
->高频微波电感

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->特殊专用元件

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->微波毫米波振荡器

->频率源/频率综合器

->倍频器/倍频器模块

->MMIC混频器

  同轴和波导混频器

->MMIC移相器及移相器模块

->MMIC功率放大器低噪放

->对数检波视频放大器

->MMIC KU到KA收发器

->MMIC开关及模块

->同轴及波导负载部件

->MMIC同轴及波导衰减器

->同轴定向耦合器部件

->适配器转换

->速调管、行波管检波器

->波导部件和旋转关节

->功分器合路器双工器

->毫米波测试设备

->限幅器

->高功率倍增器

->射频连接器/接插件/线缆

->射频微波材料

->军品高精度晶体振荡器

-> 通信专用元器件

-> 电子管/真空管/闸流管

-> FREESCALE/MOTOROLA

-> ERICSSON爱立信系列

-> NXP/PHILIPS飞利浦系列

-> TOSHIBA东芝系列

-> MITSUBISHI/RENESAS

-> M/A-COM系列

-> ASI系列

-> EUDYNA/FUJITSU富士通

-> HP/AGILENT/Avago

-> NEC日电系列

-> HITACHI/RENESAS日立

-> SONY索尼系列
-> UMS

-> Mini-circuits

-> SIRENZA

-> ALPHA

->  WJ

-> RFMD

-> APT

-> HITTITE

-> ST意法半导体

-> QUALCOMM高通

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-> CML

　

B、光通讯元器件

->光电通讯元器件

->光耦/光电耦合器

->Agilent光模块

->AMP光模块

->SIEMENS光纤收发模块

->OCP光纤收发模块

->CISCO光纤收发模块

->GBIC光纤收发模块

->光纤收发器

->常用光电元器件库存

　

C、二极管、三极管

->二极管/变容管/变阻管

->三极管/晶闸管/场效应管

->2SJ系列电子器件

D、无线收发、无线射频IC

E、无线收发模块

F、GSM/CDMA/GPRS通信模块

G、GPS模块/天线/方案

H、扩频模块/MODEM模块

I、遥控器/遥控开关/模块

J、通信继电器/干簧管

K、电源模块/模块电源

L、通信变压器

M、通信防雷器/TVS管

N、无线收发芯片和模组

O、数据通信芯片

　

二、产品图文介绍：

　
　
　
　
　
 
　
光电耦合器
图片 型号 名称 描述
H11L3 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 5mA
H11L2 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 10mA
H11L1 光电耦合器 Rise/Fall Time: 0.1μs, Supply Voltage: 3~15V, ICC-Max:: 5mA, IO: 0.1mA, Viso:5000Vrms, IFT: 1.6mA
EL3083 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3082 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3081 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:800V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3063 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3062 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3061 光电耦合器 VTM: 3V，VINH: 20 , VDRM:600V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3053 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3052 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3051 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: - , VDRM:600V, VF_Typ: 1.18V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3043 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3042 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 10mA
EL3041 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:400V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 15mA
EL3033 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT: 5mA
EL3032 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3031 光电耦合器 VTM:3V，VINH: 20 , VDRM:250V, VF_Typ: - V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3023 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3022 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3021 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:400V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3012 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:5mA
EL3011 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:10mA
EL3010 光电耦合器 VTM:2.5V，VINH: ‐ , VDRM:250V, VF_Typ:1.18V, Viso:5000Vrms， IFT:15mA
EL3H7-G 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:5/3 μs
图片 型号 名称 描述
EL3H4-G 光电耦合器 CTR：20~300﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL111X-G 光电耦合器 CTR：50~600min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
EL101X-G 光电耦合器 CTR：50~600min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:2/3 μs
ELD217 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD213 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD211 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD207 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD206 光电耦合器 CTR：63~125﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
ELD205 光电耦合器 CTR：140~80﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL217 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL216 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL215 光电耦合器 CTR：10min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL213 光电耦合器 CTR：100min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL212 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL211 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL208 光电耦合器 CTR：160~320﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL207 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL206 光电耦合器 CTR：63~125﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL205 光电耦合器 CTR：40~80﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:1.6/2.2 μs
EL357-G 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/4 μs
EL354 光电耦合器 CTR：20~300﹪，隔离电压：3750Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
EL827 光电耦合器 CTR：50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
TIL111 光电耦合器 CTR：50min­­­­­­，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
TIL111 光电耦合器 CTR：- ­­­­­­，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
MCT2E 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
图片 型号 名称 描述
MCT2 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A5 光电耦合器 CTR：30min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A4 光电耦合器 CTR：10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A3 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A2 光电耦合器 CTR：20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
H11A1 光电耦合器 CTR：50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
CNY17F-4 光电耦合器 CTR：160~320﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-3 光电耦合器 CTR：100~200﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-2 光电耦合器 CTR:63~125﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17F-1 光电耦合器 CTR:40~80﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-4 光电耦合器 CTR:160~320﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-3 光电耦合器 CTR:100~200﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-2 光电耦合器 CTR:63~125﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
CNY17-1 光电耦合器 CTR:40~80﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:6/8 μs
4N38 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N37 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N36 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N35 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10/9 μs
4N28 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N27 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N26 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
4N25 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3/3 μs
EL817-G 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL817 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：35V（最小），Rise/Fall Time:3.0/4.0 μs
EL816 光电耦合器 CTR:50~600﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:4.0/3.0 μs
图片 型号 名称 描述
H11AA4 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA3 光电耦合器 CTR:50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA2 光电耦合器 CTR:10min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
H11AA1 光电耦合器 CTR:20min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:10.0/10.0 μs
EL814 光电耦合器 CTR:20~300﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：80V（最小），Rise/Fall Time:7.0/11.0μs
EL825 光电耦合器 CTR:600~7500﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：40V（最小），Rise/Fall Time:60/53 μs
TIL113 光电耦合器 CTR:300min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5/100 μs
H11B3 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B255 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B2 光电耦合器 CTR:200min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
H11B1 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:25/18 μs
4N33 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N32 光电耦合器 CTR:500min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/100.0 μs
4N31 光电耦合器 CTR:50min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N30 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
4N29 光电耦合器 CTR:100min，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：55V（最小），Rise/Fall Time:5.0/40.0 μs
EL815 光电耦合器 CTR:600~7500﹪，隔离电压：5000Vrms，集电极－发射极电压：35V（最小），Rise/Fall Time:60.0/53.0 μs

　

 　
Judson 光电探测器
　
　
美国EOS光电探测器
　
　
波兰VIGO中/长波光电探测器
　
　
NIT探测器
　
　
美国Voxtel近红外雪崩探测器
　
　
CLPT近红外探测器
　
　
德国IFW紫外探测器
Judson 光电探测器
　
　

　

　

Judson公司成立于1969年，总部位于美国费城，是高性能红外探测器及其附件产品的领导设计者和制造商。因质量与改革而闻名世界，Judson公司生产的高性能红外探测器可广泛应用在通信、医学、工业、科研、军事、航空等领域。Judson公司专攻HgCdTe、Ge、InSb、PbS、PbSe、InAs、InGaAs以及热电探测器材料，其技术和产品横垮整个红外光谱范围。这些产品从To封装的单一成分光电探测器到复杂结构包括探测器陈列、真空瓶、冷却器、读取电路，可工作在广泛的温度范围内。

型号一：Ge探测器（工作波段0.8-1.8微米）

1、简介：

Ge探测器是高性能的锗光电二极管，为800－1800nm波长范围而设计。热电制冷探测器应用在对截止频率处响应的温度稳定性要求严格的场合。

2、功能及用途：

★  光学仪表

★  光纤测量

★  激光二极管控制

★  光学通信

★  温度传感器

3、技术指标

l         响应率：

当光子具有足量被吸附在活跃区域内，锗光电二极管产生电流穿过PN结。响应率是波长和探测温度的函数。在一定波长范围内，温度变化对响应率影响很小，但在更宽波长范围内，影响却很大。

型号二：InGaAs探测器

1、简介：

    J22和J23系列InGaAs探测器工作于0.8µm 到 2.6µm的光谱范围内。这些探测器为宽范围内的应用提供快速的上升时间，一致的响应，极好的灵敏度和长期可靠性。为提高截止波长附近性能或响应的温度稳定性, Judson 提供多种热电制冷探测器可供选择。Judson标准InGaAs探测器J22系列,提供从0.8μm到1.7μ m光谱范围内的高性能和可靠性。除此之外，J23系列扩展InGaAs探测器在以下四个截止波长处可用：1.9μm，2.2μm，2.4μm和2.6μm 。

2、功能及用途：

★ IR 萤光

★ 血液分析

★ 光学分类

★ 辐射线测定

★ 化学探测

★ 光学通信

★ 光学目标跟踪

★ 激光二极管控制

★ 激光烙印

★ 气体分析

★ NIR-FTIR

★ 拉曼光谱学

3、技术指标

型号三：InAs探测器

1、简介：

J12系列探测器是高质量的InAs探测器，在1到3.8μ m 波长范围内使用。InAs的优势在于其不像光电半导体材料普遍用在 1-3.8 μ m 波长区域中,InAs工作在光电模式下却不需要偏置电流。这使直流和低频应用中，InAs 成为较好的选择, 因为它不象半导体 PbS，PbSe 和 HgCdTe具有低频或 "1/ f" 噪音特性. InAs在跟踪和探测高速激光脉冲信号时也有很高的脉冲响应。

2、功能及用途：

★ 激光预警接收器

★ 程序控制监控器

★ 温度传感器

★ 脉冲激光监控器

★ 红外光谱学

★ 功率仪器

3、技术指标

l         响应率

    Rs对InAs探测器响应的影响如下面例子所示。22°C时， Rs 和 Rd 可能大小相同(~10个欧姆)。虽然在探测器的光敏面积上，产生光子几率一致，但是在区域的中心的附近有些光子被Rd阻止，从而不能到达中心。对探测器光敏面积中心的响应率产生影响。这种效应对具有高阻抗、比较小的光敏面探测器的影响不明显。若给二极管制冷会减少或消除这种效应，但同时会增加探测器阻抗。

l         温度影响:

对InAs光电二极管制冷会减少噪音并提高探测率。制冷也会增加 Rd, 让更多光电流 Iph 到达光敏面中心。结果是二极管响应增加。为适合高功率应用比如激光脉冲探测, 通常制冷不是必需的。为适合感光, 低功率应用，InAs探测器就需要制冷或至少温度稳定性好。温度稳定在 22°C 室温附近不能改善性能, 但是可以防止周围温度漂流对探测器的影响。

型号四：PbS探测器

1、简介：

J13系列探测器是PbS光电导探测器，为 1-3.5μm 波长区域的应用而设计。波长达最高值处的响应依赖工作温度。这些探测器提供简单而紧凑的封装却得到最高的性能。

他们提供平台单元, TO封装和热电制冷器。热电制冷器为获得高灵敏度，更长的工作波长和温度稳定性而提供很低的工作温度。

2、功能及用途：

★ NDIR光谱学

   ★ 光学测温

   ★ 光谱学

★ 湿气分析

3、技术指标

型号五：PbSe探测器

1、简介：

J14系列探测器是PbSe光电导探测器，为 2-6μm 波长区域的应用而设计。峰值波长处的响应依赖工作温度并且在4-4.7μm 范围内具有不同值。 

2、功能及用途：

★ 环境气体分析

★ 医学气体分析

★ 光谱学

★ 光学测温

★ NDIR光谱学

★ 防御应用

3、技术指标

他们提供平台单元, TO封装而且两者并无热电制冷器。热电制冷器为获得高灵敏度，更长的工作波长和温度稳定性而提供很低的工作温度。用户订制的探测器提供内置电子过滤器。多波长探测器和阵列通常提供产品原型。按照标准规格，Judson室温PbSe提供高于其他制造商2-3倍的归一化探测率。

型号六：InSb探测器

1、简介：

J10D系列探测器是高质量InSb光电二极管,在1到5.5μm波长区域中有很好的性能。

2、功能及用途：

★ 热成象

★ 搜寻热目标

★ 辐射计

★ 光谱鉴定

★ FTIR

3、技术指标

单一晶体p-n结技术产生高速,低点噪声并有很好的一致性，线性和稳定性的探测器。

所有的J10D系列InSb探测器都要求工作温度是77°K。

型号七： PC光导HgCdTe探测器

1、简介：

HgCdTe是三种半导体材料混合按一定比例形成的合金混合物可显示截止波长。真实的探测器由一个薄层（10到20μm) 的HgCdTe在金属衬底上硬化来定义光敏面积。 光子能量高于半导体能带隙能量激发电子进入传导层，因此，增加了材料的传导率。峰值波长处的响应依靠材料能带隙能量并很容易被合金化合物改变。为了要感知电导率的变化,需要偏置电流或电压。典型地，探测器被作成正方形或矩形来维持光敏区域内分配一致的偏置电流。

2、功能及用途：

   ★ 热成象

★ CO2激光探测

★ 制导

★ FTIR光谱学

★ 夜视

3、技术指标

每种J15系列HgCdTe明确设计特别的操作温度范围。响应率和探测率会随着温度降低而增加。HgCdTe PC 探测器有很宽的动态范围。

J15D系列探测器是HgCdTe光电导探测器，工作在2到26个μ m 波长区域中。 峰值波长响应依靠所采用的特殊合金化合物。所有J15D系列探测器工作于 77°K的低温条件下. Judson 的上好技术细致的设备选择，可以提供背景限制（BLIP)探测器有极好的性能。

型号八： PV光伏HgCdTe探测器

1、简介：

J19TE系列探测器是高质量的HgCdTe光电二极管，用于500 nm 到5.0um 范围内。等效电路由光子产生的电流Iph 并联电容CD，阻抗RD和连续阻抗RS组成。

2、功能及用途：

★  测温

★  光谱分析

★  信号探测

3、技术指标

l         温度效应:

对HgCdTe光电二极管制冷可减少噪音并改善探测率。制冷也可增加阻抗并提高更长波长范围内的响应。

l         光电伏HgCdTe的优势:

不象光电导可普遍用在500nm到5.5um范围中 ,HgCdTe光电二极管工作于光电伏模式并不要求偏置电流。这使J19TE探测器成为直流和低频应用的很好选择，它不象PbS, PbSe和HgCdTe光电导体有低频或“1/F”噪声特性。J19TE探测器也为追踪和探测高速脉冲激光信号提供很好的脉冲响应。
美国EOS光电探测器
　
　

　

　

　

　

　

　

　

　

　

自1983年成立以来，美国EOS公司已发展成为一个独立的原始设备制造商。其主要的产品有探测器/光电元件，探测器组件，以及自订仪器，涵盖完整的紫外/可见---40微米光谱区域。

EOS探测器组件生产线是由各种不同的原材料的光电二极管和光电导体组成，可以很广泛的应用在工业上。对一些常用探测器而言，EOS可提供一些标准尺寸，而对于一些非标准的要求，可以为客户提供定制设计服务.产品可根据波长分为三大类，除此之外，还包括位置传感器，双色探测器，四象限探测器。

型号一：Si探测器（响应波段范围：0.2-1.1）:

1、简介：

硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。

2、功能及用途：

★ 工业的控制系统

★ 气体分析

★ 热传感器

★ 光纤测试设备

3、技术指标

　

　
波兰VIGO中/长波光电探测器
　
　

　

　

　

　

　

　

VIGO公司总部位于波兰，是高性能非制冷红外光电探测器及其附件产品的领导设计者和制造商。他们致力于用新一代非制冷探测器代替目前工作于中、长波段，需要制冷的红外光电探测器，其为红外探测器及配套偏置和前置放大电路的专业公司。

型号一：红外探测器：

1、简介：

VIGO 公司生产的光电探测器在2－12µm光谱的范围内使每个波长都达到了最优化。其探测器是以高探测灵敏度和卓越的响应速度而著称。非制冷型设备是VIGO的主要产品系列。对于更多的需求领域，热电制冷器是不可或缺的。由于VIGO领先业界的独特而又不断发展的新技术，他们的探测器达到了很高的性能。这些技术包括：

成熟的碲镉汞外延技术;能量间隙工程;红外探测器的综合3D结构;多元光电设备;微光单片集成探测器

2、功能及用途：

温度记录照相机;测温锥，扫描;发热物体的探测和追踪;激光测量;激光-物质的交互作用研究;非破坏材料检测

3、技术指标

      

TO封装制冷型探测器外观

特点：高性能的在2-12μm范围，无须LN（液氮）制冷；快速响应；无闪动噪声；使用方便；动态范围宽；小巧,耐用可靠；低成本；及时交货；可按客户要求设计。

   

BNC封装非制冷探测器外观                    TO39封装非制冷探测器

特点：室温下工作；无需偏置；响应时间短；无闪动噪声；从DC到高频范围工作；与快速逻辑元器件完美兼容；动态范围宽；低成本；可根据客户要求设计。

 

PVI光侵入式非制冷探测器外观 

 

型号二：PCQL系列（2-12μm红外光电导四象限探测器）

 

1、简介：

PCQL系列探测器是四象限、高速、室温光电工作模式的红外光电探测器。这些器件可以在10.6 µm被优化为最高性能。他们的高性能和稳定性可以通过最近开发的间隙（Hg，Cd，Zn）Te半导体（优化掺杂面和改进的表面处理技术）来获得。

2、功能及用途：

适合脉冲或调制CO2激光应用；

3、技术指标

室温下工作；D*(10.6 µm)达到6*106cmHz1/2/W；响应时间≤1ns；动态范围宽；与快速逻辑元器件完美兼容;使用方便;低成本；及时交货；可根据客户要求设计。

 
NIT探测器
　
　

　

　

　

　

　

　

1、简介：

    NIT位于西班牙马德里，是世界上唯一一家生产PbSe平面成像和非制冷中红外成像系统的公司。NIT使命是使红外探测器的应用更加多元话，更加市场化。NIT的员工在红外领域已经有20多年的经验。NIT依托自己独立设计生产能力，有加工制造点元、线阵、面阵探测器整套完备的成产线。可以根据客户的需求提供定制的探测器或调整他们的标准产品来满足客户要求，而且还可以按照客户的要求增加探测器的功能。

2、功能及用途：

    工业/商业应用：环境保护；火焰和气体探测；化学探测和检测；搜索和营救系统；循环加工业、分类系统；加工制造制动化和过程控制：激光焊接和切割；健康检测；非破坏性检查和光谱学

    防卫和安全应用 ：枪口闪光和爆炸探测；激光探测系统；导弹探测；智能武器

3、技术指标

（1）MATRIX 1024 FPA (矩阵1024 焦平面)

　

尺寸 (mm): 24 x 24 x 2.2 ；焦平面分辨率(px): 32 x 32 ；像素大小: 100 microns

工作温度: +5C / +60C ；重量: < 5 g； 封装: LCC68 footprint compatible (无引脚芯片)

读出方法: Rolling frame (x-y addressed) ；偏压: 5V (typ) ；电阻/element (range): 0.8 - 2.0 MOhm ；功率: 4 mW (max) ；响应波段: 1.0 - 5.0 微米；峰值: 3.5 微米 ；D* (WLpeak): 2·10E9 Jones ；D* (-3dB): 1.6 / 4.5 microns ；响应时间(time constant): < 2*10E-6 s (2纳秒)

（2）LUXELL SERIES（线阵）

响应波段: MWIR (1 - 5 microns)；Formats（可用的格式）: 1 x 64 像素, 1 x 128 像素, 1x 256 像素；Peak D*: 2E9 Jones；峰值光谱响应: 3.5 microns；像素大小 (W x H, in microns)；100 x 1,000 (1 x 64, 1x128) ；60 x 600 (1 x 256) ；专有的封装,蓝宝石窗口, 无分阶段制冷, 在室温下有非制冷性能；可以同MATRIX 1024 OEM and CORE模块高度的集成。

（3）LEPTON DETECTOR（探测器）

响应波段： MWIR (1 - 5 microns)；Formats（可用的格式）:1 x 1毫米，2 x 2毫米

D*（D*峰值）: 2E9 Jones；峰值光谱响应：3.5 microns；SMD/TO-8专有的封装,蓝宝石窗口, 无分阶段制冷, 在室温下有非制冷性能；可以同MATRIX 1024 OEM and CORE模块高度的集成。

（4）其它系列：

1）MATRIX 1024 CAMERA (矩阵1024相机)（图1）；2）MATRIX 1024 CORE（矩阵1024机芯）（图2）

3）MATRIX 1024 OEM (矩阵1024 OEM生产)（图3）；4）LEPTON ANALOG PREAMP（图4）

5）LEPTON PREAMP WITH USB OUTPUT（图5）

 （图1）       （图2）    （图3）      （图4）          （图5）
美国Voxtel近红外雪崩探测器
　
　

　

　

　

　

　

　

　

　

型号一：Voxtel APDs :

1、简介：

VOXTEL 销售4个系列的InGaAs（近红外铟镓砷）APD：Deschutes FSI™, Deschutes BSI™, Siletz™, Siletz UHG™系列。Deschutes FSI™是前照方式（FSI），而其他三个系列均为背照式(BSI)

2、功能及用途：

取代光电倍增管；雷达；通信；荧光测量，光谱分析，色谱分析，电泳；光相干断层摄影；光时域反射计；激光测距；自由空间光通信

3、技术指标

   Deschutes FSI™ 产品可以满足在~800-950nm范围有更好的光谱响应率，以及尺寸最小APD的客户需求：

l         FSI和 BSI最重要的不同在于FSI APDs可以采集低于950nm的波长，但是如果需要应用于950nm以上波长的，BSI APDs可以提供更高的响应度以及较低的探测电流。

l         Siletz™ 可以提供更高的增益以及较低的过量噪声，并且可以抑制高的暗电流。

l         Siletz UHG™ 提供非常高的增益以及低过量噪音。可以应用在微弱光信号（接近单光子水平）。

型号二：VGG Series Geiger-mode Avalanche Photodiodes

1、简介：

Geiger-mode NIR InGaAs APDs-packaged.40 µm, Geiger-mode NIR InGaAs APD, TO-8

2、功能及用途：

荧光测量，光谱分析，色谱分析和电泳。可以取代光电倍增管；光学相干断层扫描；CMOS电路测

试的电致发光；DNA测序；激光测距；3D成像；时域反射；时间相关单光子计数；量子密码.

3、技术指标

TO封装标准配备宽带双面受AR涂层的窗口， 1550纳米的滤光片，或透镜帽以提高耦合效率；3级热电制冷，TO-8封装；整合在淬火电路；0.9 μm - 1.65 μm response 响应；盖革模式铟镓砷/磷化铟（雪崩光电二极管）的单光子计数应用

型号三：QB Series Silicon Photomultipliers (SiPMs)

1、简介：

Si VIS/NIR SiPM products-Si VIS/NIR SiPM TO-8 （Si的TO-8封装的光电倍增管）

2、及用途:

动态光谱；荧光寿命测量；核医学；聚焦显微镜；蛋白质组学；DNA测序；扫描芯片；PET扫描；高能物理

3、指标:

当制冷温度很低时，SNR很高；温度和电压稳定；体积小，结构紧凑，坚固；TO封装标准配备宽带双面受AR涂层的窗口，或透镜帽以提高耦合效率；3级热电制冷，6个管脚，TO-8封装；(>30 MHz) 宽泛的单光子计数的动态范围；响应；快速响应（1纳秒的上升时间）；极低的暗电流；检测极其微弱光
CLPT近红外探测器
　
　

　

　

　

　

　

型号一：铟钾砷大光敏面探测器

1、简介：

InGaAs大光敏面探测器具有直径1~3mm的圆形光敏面同时封装可选TO CAN和LCC两种形式， 应用于500~1700nm波长范围的测试仪器和光电感应系统中。 超低的暗流和高动态阻抗占据绝对的性能优势。同时探测器芯片也可以按照客户的要求订制成特殊晶体尺寸、窗口及封装。

2、功能及用途：

  光功率测量；红外线测量；光谱分析；医学和生化检测；温度测量；激光测距

3）技术指标

 大感光面积；高响应率； 高阻抗；低暗电流；高动态范围；视觉影像

　

型号二：铟钾砷大光敏面光电晶片

1、简介：

基于先进的磷化铟晶元，CLPT可以提供一系列大面积的铟钾砷PIN晶片，感光面积包括1mm、2mm和3mm。利用硅和铟钾砷材料的完美结合，短波段延伸(500~1700nm, -S)系列的晶片可以涵盖可见光范围。同时我们可以根据客户的需要定制特殊封装、尺寸、光敏面的探测器晶片。

2、功能及用途：

   光功率测量；红外线测量；光谱分析；医学和生化检测；温度测量；激光测距

3、技术指标

 型号三：铟钾砷焦平面探测器           

1、简介：           

此二维铟钾砷面阵探测器的响应波段为900-1700nm，目前可做到320x256和640x512阵列。此阵列探测器利用覆晶装订技术可以使其与读出电路紧密结合，同时采用LCC及Kovar气密封装，且表面镀有抗反射膜。同时，我们可以根据客户的需求定制封装不同的产品。

2、功能及用途：  

    功率测量；红外线测量；光谱分析；医学和生化检测；温度测量；热电制冷

3、技术指标

大感光面；高响应率；高阻抗；高灵敏度；低暗电流；高动态范围；视觉影像
德国IFW紫外探测器
　
　

　

　

　

　

　

　

　

　

IFW成立于1981年，是专业生产SIC紫外探测器的一家公司，拥有20多年的历史。产品种类，多达100多种，相对于Si，金刚石薄膜，TiO2，钻石等紫外探测器，拥有巨大的优势！是您紫外探测应用的首选产品！

1、简介：

★      标准产品 JECXX 系列

★      集成放大器系列　JIC 系列

★      高温封装系列 JECXXHT 系列 (标准产品工作温度可达+ 70 °C, HT可达150°C)

★      位移探测器系列 JQC4 四象限探测器

★      红斑效应探测 JEC XX E 系列

2、功能及用途：

★       火焰探测和控制

★       紫外测量

★       控制杀菌灯光

★       医疗灯光的控制

★       多达100多种不同型号，充分满足不同的紫外探测需

3、技术指标

    ★     光谱响应范围仅限于200-400nm 或 (210-380nm),不需要额外的滤光片来屏蔽可见光或红外辐射

    ★     试验证明，即使在1000W/m2强度的254nm光辐照下，仍然保持长时间的稳定性

    ★     绝佳的温度稳定性(温漂系数: Tk < -0.06%/K),在150摄氏度的高温下，仍然保持长时间稳定性

    ★     非常低的暗电流(fA Rang)

    ★     可集成航天质量标准的紫外窄带滤光片: UVA UVB UVBC UVBC2 UVC

    ★     提供集成放大器电路

 
 

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