霍尔位置传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879在研究金属的导电机制时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种，广泛地应用于工业自动化技术、检测检测技术及信息处理方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度计载流子迁移率等重要参数。

霍尔效应的本质是带电粒子在磁场中受到洛伦兹力作用引起偏转，使其聚集产生电场，电场则会阻止带电粒子偏转，最终当电场力和洛伦兹力达到平衡时，由于带电粒子聚集产生的电压被称为霍尔电压。霍尔电压大小取决于：霍尔常数，它与具体材质有关；霍尔元件的偏置电流；磁场强度；霍尔元件厚度。最终可通过对霍尔电压得出想要测量的磁场。霍尔位置传感器通过磁场为平台，来测量对象的位置变化，具体做法很多，主要是通过测量对象的位置变化来改变磁场在霍尔元件中的大小，再利用磁场和霍尔电压的关系最终得到位置变化情况。

霍尼韦尔针对实际需求开发了多种型号的线性霍尔位置传感器，能满足各种测量要求。霍尼韦尔的线性位置传感器可以用在电流感应、电机控制、位置传感、磁性编码读数、旋转编码器、铁磁性金属检测器、液位传感器等方面。