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红外测温仪/红外热像仪光敏电阻/光敏元器件 常用光电传感器/模块资料下载

　 　 　
　 PerkinElmer 　
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电子体温计知识介绍
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        红外遥控IC
        蓝牙通讯IC
        图像传感器
光鼠球鼠对管IC
摄像数字影像IC
 手机周设/手机IC
光电藕合器IC
激光管/激光IC
 光电开关
反射接近开关
红外接收管
红外发射管
 红外接收头
光敏接收管
 发光管/数码管
光纤接收/发射头
 闪光管
放电管
 硅光电池
 紫外线传感器
热释传感器/菲透镜　
 超声波传感
 霍尔元件干簧管/磁传感器　
 数据传输器
 热电堆/红外测温计
 光敏电阻
　
　
　
　
 
　
UV Photodiodes
InGaAs Photodiodes
Thermopiles
Selective Photodiodes
MID-IR Photodiodes
Photodiode Chips
Silicon Photodiodes
Avalanche Silicon PDs
Photodiode Amplifiers
　 　 　
    IBSG公司创立于1991年，创始人是几位俄罗斯约费物理技术研究所的主要研究人员。公司致力于开发制造中红外光谱范围的光电器件。目前，IBSG是世界上唯一一家在中红外光谱1600-5000纳米范围内拥有全线中红外光发射二极管和光电二极管的公司。除了拥有宽范围的标准产品我们还可以为不同目的的客户提供定制解决方案。    我公司为IBSG在中国的唯一代理商。
    德国HEIMANN公司为著名的红外探测器制造商，产品包括热释电探测器，热电堆探测器，探测器阵列，应用于红外分析，探测，成像，测温等等。可登录其网站
    我们是HEIMANN联系紧密的中国代理商，可代客户定做各种探测器。
    美国DCS公司有多年的红外CO2模块制造经验，其生产的红外CO2测量模块，价廉物美。我们和DCS有多年的合作经验。是DCS在中国的重要代理商。
    美国VTI公司是专业制造红外气体测量模块的公司，主要有CO2,CO,CH4,NH3和致冷剂模块，公司生产的产品质量非常好，优于英国爱丁堡，价格比之爱丁堡便宜，质量控制非常严格，通过ISO认证，气体模块标定按照NIST 标准, ANSI/IPC-610, level II workmanship 标准。A/D转换都采用16位分辨率。我们和VTI合作多年。可提供定做服务。
    日本FIGARO是世界著名的半导体气体传感器制造商，我们只销售他们代理的日本GS公司的高浓度氧气传感器KE-25和KE-25F3.这个氧气传感器用途非常广泛。在各个行业，分析仪器中均可找应用。我们销售多年，有很好的价格和服务。
    美国S-ET公司是世界著名的紫外LED制造商，是少数几个掌握深紫外LED技术的厂家之一，也是拥有完整的深紫外LED全系列的唯一厂家。
SUNSTAR光电探测器目录
CO 红外探测器   CH4红外探测器   CO2红外探测器   SF6红外探测器   SO2红外探测器 HC红外探测器 
红外光源   红外光电气体传感器  NDIR红外气体传感器  红外温度传感器  红外气体分析器件
CO2红外光源   CH4红外光源   CO红外光源   C3H8红外光源   C4H10红外光源   C2H4红外光源   C2H2红外光源      SF6红外光源   SO2红外光源   HC红外光源  

becker-hickl光子计数产品中国代理资料下载  Excelitas单光子计数器 SPD单光子计数器 Hamamatsu光子计数模块HORIBA光子计数代理美国斯坦福单光子计数器TH单光子计数器 COUNT单光子计数器  PILATUS光子计数器  其它光子计数器 

　 　 　 　

红外光敏电阻系列产品

美国NEP专业生产各种规格高品质硫化铅,硒化铅,铟镓砷红外探测器,广泛用于以下产品:

  • 火焰探测器，锅炉控制等

  • 气体分析仪，包括工业气体、汽车尾气等

  • 湿度分析仪

  • 红外温度测量

  • 光谱仪

  • 蛋白质成分分析仪

我们提供以下产品:

  1. 硫化铅红外光敏电阻系列 (PbS)

  2. 电子冷却硫化铅红外光敏电阻系列 (TEC PbS)

  3. 硫化铅红外线阵探测器 (PbS Linear Array)

  4. 硒化铅红外光敏电阻 (PbSe)

    　

  5. 电子冷却硒化铅红外光敏电阻 (TEC PbSe)

  6. 硒化铅红外线阵探测器 (PbSe Linear Array)

  7. 铟镓砷InGaAs PIN光电二极管近红外探测器

选购这些探测器时请同时参考最先进的MEMS脉冲红外光源.

相应曲线：

硫化铅：

硫化铅响应曲线   硫化铅响应曲线  硫化铅响应曲线

硒化铅：

硒化铅响应曲线  硒化铅响应曲线  硒化铅响应曲线

1. 硫化铅光敏电阻系列:

硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25°C - Typical A & AM B & BM C & CM
D* (Pk.,600,1) x 1011 .5-1.2 .5-1.2 .5-1.2
Wavelength Cut-off - Microns 3.0 3.0 2.7
Peak Wavelength Response - Microns 2.5 2.5 2.2
Time Constant - Microseconds <100 100-300 >300
Resistance - Megohms .2-2.0 .2-2.0 .5-10

注:型号中的M为密封封装.

活性区参数

Code
Number		 Active Area Bias Voltage Typical  VW-1
Responsivity		 Package
Size
Inches mm Typical Maximum
.25 .010 .25 10 20 1.0x106 TO-5 & TO-46
.5 .020 .5 20 40 6.0x105 TO-5 & TO-46
1 .040 1 50 100 3.0x105 TO-5 & TO-46
2 .080 2 100 200 1.5x105 TO-5
3 .120 3 150 300 1.0x105 TO-5
5 .200 5 250 500 6.0x104 TO-8
10 .400 10 500 1000 3.0x104 TO-3

机械参数

TO-46

TO-5

TO-46封装尺寸

TO-5封装尺寸

　

TO-8

TO-3

TO-8封装尺寸

TO-3封装尺寸

典型应用电路:

典型应用电路　

2. 电子冷却硫化铅光敏电阻系列

电子冷却硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25° C -Typical D D2 D21**
D* (Pk.,600,1) x 1011 1.5 2.5 2.8
Wavelength Cut-off - Microns 3.1 3.2 3.3
Peak Wavelength Response - Microns 2.5 2.5 2.5
Time Constant - Milliseconds 1-2.5 1-2.5 1-2.5
Resistance - Megohms .5-10 .5-10 .5- 5
Operating Temperature - °C -20 -30 -45
Cooler Power - Volts DC/Amps .8V/1.8A .8V/1.4A 2.0V/1.4A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and Vacuum LN Dewars also available. Contact us for further details.
**TO-8, TO-66 or TO-3 packages only.

活性区参数

Code
Number		 Active Area Bias Voltage Typical VW-1X105
Responsivity		 Package
Size
Inches mm Typical Maximum -20 -30 -45
1 .040 1 50 100 6.0 9.0 13.0 TO-5-37-8-66
2 .080 2 100 200 3.0 4.5 6.5 TO-5-37-8-66
3 .120 3 150 300 2.5 3.5 4.5 TO-5-37-8-66
5 .200 5 250 500 1.2 2.0 3.0 TO-8-66
10 .400 10 500 1000 .6 1.0 1.5 TO-3

机械参数

机械参数

3. 硫化铅线阵，参考价格每套$528。

主要性能:

Array
  • PbS Array 1-3 microns
  • PbSe Array 1-5 microns
  • PbS D* >8 x 1010 Note
  • PbSe D* >3 x 109 Note
  • Square or rectangular geometry
  • Pitch down to 59 microns
  • Pixels 256
  • Thermoelectrically cooled
  • TE Cooler Controller
  • Operating temp. down to 253K
  • Optical filters
  • Low cost
  • Custom designs
 硫化铅阵列
Multiplexing
  • DC integrating
  • Dark current subtraction
  • Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz
  • Independent or slave operation
  • Custom interfaces available
  • Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec.
 System Requirements
  • ±12 to ±15VDC
  • TE Cooler 5V @ 2 amps (typical)

Amplifier Specifications

  • Output voltage range up to ±12V
  • Output current 2-3 mAmp typical
    and up to 30 mAmp available
  • Adjustable output gain available

4. 硒化铅光敏电阻

硒化铅探测器

电气参数

Test Conditions at 25°C - Typical F & FM FA & FAM FS & FSM
D* (Pk.,1000,1) x 109 1.0 - 3.0 3.0 - 6.0 >6.0
Wavelength Cut-off - Microns 4.5 - 5.0 4.5 - 5.0 4.5 - 5.0
Peak Wavelength Response - Microns 3.8 - 4.3 3.8 - 4.3 3.8 - 4.3
Time Constant - Microseconds 1 - 3 1 - 3 1 - 3
Resistance - Megohms .1 - 4 .1 - 4 .1 - 4

活性区参数

Code
Number		 Active Area Bias Voltage Typical VW-1 Package
Size
Inches mm Typical Maximum
1 .040 1 50 100 6,000 TO-5 & TO-46
2 .080 2 100 200 3,000 TO-5
3 .120 3 150 300 2,000 TO-5
5 .200 5 250 500 1,200 TO-8
10 .400 10 500 1000 600 TO-3

机械参数

TO-46 TO-5
TO-46封装 TO-5封装
　 　
TO-8 TO-3
TO-8封装 TO-3封装

　

5. 电子冷却硒化铅光敏电阻

电气参数

Test Conditions at 25° C G G2 G21** GS21**
D* (Pk.,1000,1) x 1010 .7 1.2 1.5 2.0
Wavelength Cut-off - Microns 5.2 5.3 5.4 5.4
Peak Wavelength Response - Microns 4.3 4.5 4.6 4.6
Time Constant - Micro Seconds 10 15 20 20
Resistance - Megohms .2 - 7 .2 - 10 .2 - 15 .2 - 15
Operating Temperature - °C -20 -30 -45 -45
Cooler Power 1.2V/1.8A 1.3V/1.6A 2.2V/1.2A 2.2V/1.2A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and LN2 Dewars available. Please contact us for further details.
**TO-8, TO-66 and TO-3 packages only.
　

活性区参数

Code
Number

 Active Area Bias Voltage Typical VW-1
Responsivity		 Package
Size
Inches mm Typical Maximum -20 -30 -45
1 .040 1 50 100 9000 13000 16000 TO-5-37-8-66
2 .080 2 100 200 5000 8000 11000 TO-5-37-8-66
3 .120 3 150 300 3000 5000 6500 TO-5-37-8-66
5 .200 5 250 500 2000 3000 3500 TO-8-66
10 .400 10 500 1000 1000 1500 1800 TO-3

机械参数

机械图纸

　

6. 硒化铅线阵，参考价格每套$528。

主要性能:

Array
  • PbS Array 1-3 microns
  • PbSe Array 1-5 microns
  • PbS D* >8 x 1010 Note
  • PbSe D* >3 x 109 Note
  • Square or rectangular geometry
  • Pitch down to 59 microns
  • Pixels 256
  • Thermoelectrically cooled
  • TE Cooler Controller
  • Operating temp. down to 253K
  • Optical filters
  • Low cost
  • Custom designs
 硒化铅线阵
Multiplexing
  • DC integrating
  • Dark current subtraction
  • Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz
  • Independent or slave operation
  • Custom interfaces available
  • Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec.
 System Requirements
  • ±12 to ±15VDC
  • TE Cooler 5V @ 2 amps (typical)

Amplifier Specifications

  • Output voltage range up to ±12V
  • Output current 2-3 mAmp typical
    and up to 30 mAmp available
  • Adjustable output gain available

Note: These D* values are for unmultiplexed arrays. D* is affected by sample rates, integration times, etc.

7. InGaAs PIN光电二极管探测器

InGaAs PIN Photodiode Detectors RT 非致冷型
主要性能:
  • 低暗电流,低电容,高响应.
  • Mesa 结构, 无信号时不导电.
  • 适合于DC - 3GHz, 以及光纤应用.
Part # Diameter mm Resp. A/W @1.3μm Resp. A/W @1.55μm Dark Current nA Cutoff Freq. MHz Cap. pf Shunt Res. MΩ Peak D* cm*Hz½/W NEP W/Hz½
I5-.04-46 .040 .85 .90 .075 3000 .6 9000 >1012 <10-14
I5-.08-46 .080 .85 .90 .10 2200 .9 7000 >1012 <10-14
I5-.1-46 .100 .85 .90 .15 2000 1 6000 >1012 <10-14
I5-.3-46 .300 .85 .90 .4 350 5 900 >1012 <10-14
I5-.5-46 .500 .85 .90 .7 200 10 250 >1012 <10-13
I5-1-46 1.00 .85 .90 2 30 100 90 >1012 <10-13
I5-2-5 2.00 .85 .90 8 3 600 20 >1012 <10-13
I5-3-5 3.00 .85 .90 20 1.75 1200 9 >1012 <10-13
I5-5-8 5.00 .85 .90 30 .5 4000 2 >1012 <10-12
I5-10-3 10.00 .85 .90 100 .15 14000 .5 >1012 <10-12

　
InGaAs封装 InGaAs响应曲线
紫外发光二极管
深紫外发光二极管 近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管 大功率深紫外发光二极管
发光二极管驱动 　
激光二极管
气体分析用激光二极管 超辐射激光二极管 　
通用激光二极管 　 激光二极管驱动控制器 　
光纤耦合激光二极管 激光二极管配件
大功率泵浦激光二极管模块 半导体光学放大器
红外发光二极管
大功率红外发光二极管 中红外发光二极管
发光二极管驱动 近红外发光二极管
光电探测器
热电堆探测器 硅光电探测器
热释电探测器 锗光电探测器
中红外光电探测器 InGaAs光电探测器
紫外探测器 　 双波段探测器
CMOS光电二极管阵列 TDI 成像器
成像管 多路缓冲器
光电倍增管 光电二极管
光电晶体管 光敏电阻
光子计数模块 冷却型CCD传感器
模拟光学隔离器 线性扫描成像器
医用传感器 紫外光传感器

常用光电传感器/模块资料下载

红外测温仪/红外热像仪 常用红外温度传感器系列 常用红外温度传感器及资料下载红外温度传感器模块摸组  红外线温度传感器一 红外线温度传感器二 红外线温度传感器三 红外线温度传感器 四 红外测温模块一 红外测温模块二 红外测温模块 三 红外测温模块 四 红外热像红外气体分析红外行业应用红外相关配件红外技术资料

  光电开关/光电传感器
　

ST138-139

ST279

ST288A

ST133

 　

ST420

ST133

ST150

SS-030
  雷射模组（激光模组）
　 国产

2-LMS29A

2-LMS29B

2-LMS29C

 2-LM10

2-LM235B-3

2-LM235B-3L

 2-LM21 2-ATLMF-R(3)L

2-ATLMF-R3

　

 　 　
　
　
　
　 　
　
　
　 　
　
　
　 　
　
　
　 　
　
　
　 　
　
　
　
　
　 　
　
　
　 　
　
带尾纤器件
激光二极管
　
　
激光模组
　
 
     
 
　
双向器件
　
型号 峰值波长(nm) 功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电压(V) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PB1315 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW1.25GBs 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW1 1310 1.5 5 1.1 1 0.3
PW13ST 1310 35 50 1.2 - -
PW85ST 850 35 50 1.8 35 4.5
PWFSAN155 1310 1.5 5 1.1 1 ?


　
带尾纤边缘发光型LED
型号 中心波长(nm) 光谱宽度(nm) 光纤耦合功率(mW) 封装类型(-)
SugarCubes 1270 　 45 　
PE13W0051FCA-0-0-01 1300 60 8 Pigtailed FC/PC Connector
PE13W010ST71-Q-0 1300 60 15 Receptacle ST Style
PE13W015FC11-Q-0 1300 60 20 Receptacle ST Style
PE13W010FC21-Q-0 1300 60 15 Receptacle ST Style
PE13W0151STA-0-0-01 1300 60 20 Pigtailed FC/PC Connector


　
带尾纤激光二极管
型号 波长(nm) 最小光纤耦合功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电流(mA) 监测光电管电流(mA)
PL63C005100A -0-0-01 635 1 50 70 0.5
PL63H003300A -0-0-01 635 3 45 55 0.2
PL65T0.8UN11-T-0 650 0.8 30 35 0.07
PL65Q0.8UN11-T-0 650 0.8 40 50 0.10
PL65T001100A-0-0-01 650 1 30 35 0.07
PL65R005FC14-T-0 655 5 25 35 0.1
PL66N0026FCA -0-0-01 658 2 45 85 0.05
PL67T0016STA-0-0-01 670 1 45 70 0.5
PL66N005100A -0-0-01 658 5 45 85 0.05
PL13H1201OOA-0-P-01 1310 　 20 30 　
PL15H1001OOA-0-P-01 1550 　 30 50 　
PL78C0.51FCB-T-0-01 785 0.5 35 45 0.1
PL78H0037FCD-U-0-01 785 3 45 140 0.025
PL78M001FC11-T-0 780 1 25 40 0.45
PL78R0012STA-0-0-01 785 1 25 45 0.3
PL78T040FC2D-T-0 785 40 30 100 0.1
PL85B0023FCA-0-0-01 850 2 5 30 0.2
PL83H0103FCA-0-0-01 830 10 40 80 0.04
PL98A0038FAA-0-0-01 980 3 5 80 0.4
PL13U001100B -R-0-01 1310 1 6 18 0.1

　

型号 波长(nm) 最小光纤耦合功率(mw) 阈值电流(mA) 工作电流(mA) 监测光电管电流(mA)
PL13U0.5FC11-S-0 1310 0.5 6 18 0.8
PL13N0021FAA-0-0-01 1310 2 10 20 0.8
PL15M0011SCA-0-0-01 1550 1 10 30 0.8
PL15M0.51SCC-R-0-01 1550 0.5 15 30 0.8
PL15N001FCG-R-0-01 1550 1 10 20 0.8
PL15N002FC0-0-0-01 1550 2 10 20 0.8
PL16M001100A-0-0-01 1615 1 15 30 0.1
PL16M001FC11-S-0 1615 1 15 30 0.8
PL16M002200A-0-0-01 1615 2 15 30 0.8
PL16M001SC21-S-01 1615 1 15 30 0.8
PL16M0.51FAA-0-0-01 1615 0.5 15 30 0.8
PL16M0.5FC21-S-0 1615 0.5 15 30 0.8
PL16M0.5FC11-S-0 1615 0.5 15 30 0.8
PL15M0.51FAC-R-0-01 1550 1 10 30 0.8
PL15M0011SAA-0-0-01 1310 1 6 18 0.8
PL13U0011SAA-0-0-01 1310 0.5 6 18 0.8
PL13U0.51FAA-0-0-01 1310 0.5 6 18 0.8


　
带尾纤边缘发光型LED
型号 波长(nm) 工作电流(mA) 光纤类型(-) 光纤耦合功率(mW) 管脚输出(-) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PSLEDSeries 　 　 　 　 　 　 　
PS85K015SC22-Q-0 850 100 50/125 20 D 35 6.0
PS13T030FC12-Q-0 1310 100 50/125 35 D 160 3.0
PS13L015SC22-Q-0 1310 100 50/125 20 D 160 3.0
PS13L030300A-0-0-01 1310 100 62.5/125 35 D 160 3.0
PS86M025FC12-Z-0 860 60 50/125 45 A 50 7.0
PS85K035300A-0-0-01 850 100 62.5/125 40 D 35 6.0


　
带尾纤VCSEL
型号 波长(nm) 工作电流(mA) 光纤类型(-) 光纤耦合功率(mW) 管脚输出(-) 光谱宽度(nm) 上升时间(ns)
PV85A0.53FCA-0-0-01* 850 3.5 62.5/125 600 4 lead 0.85 100 psec
PV85L0.5FC12-Z-0* 850 3.5 50/125 600 3 lead 0.85 100 psec
PV85L0.62STD-Z-0-01 850 3.5 50/125/900 600 3 lead 0.85 100 psec
PV85L0.9ST74-Z-0 850 3.5 62.5/125 1000 3 lead 0.85 100 psec
PV85W0.53STA-0-0-01* 850 3.5 62.5/125 600 3 lead 0.85 100 ps

　

 

 
InGaAs（铟镓砷）光电探测器（1000-2600nm）

一、铟镓砷PIN管

型号 光敏面积(mm dia) 波长范围(nm)
IGA - 001 0.1 1000-1700
IGA - 003 0.1 1000-1700
IGA - 003 1 1000-1700
IGA - 003 2 1000-1700
IGA - 003 3 1000-1700
IGA - 003 5 1000-1700
IGA - 003 1 1000-1700
IGA - 003 2 1000-1700
IGA - 003 3 1000-1700
IGA - 003 5 1000-1700
IGA - 003 0.3 1000-1700
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 1 1200-2600
IGA - 003 3 1200-2600

二. 大感光面积铟镓砷探测器
产品特点：
  • 光谱响应范围： 900nm-1700nm
  • 感光面积： 直径1mm、1.5mm、3mm可选
  • 灵敏度高
  • 暗噪声低响应速度快
  • TO-5或TO-18封装
　
　 　
型号 受光面直径 响应灵敏度
1310nm		 响应灵敏度
1550nm		 分流电阻 结电容 封装
InGaAS-1000 1 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 30 MΩ
Vr = 10mV		 80 pF Vr=0V TO-18
InGaAS-1500-X 1.5 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 20 MΩ
Vr = 10mV		 200 pF Vr=0V TO-18
InGaAS-3000-X 3 mm 0.9 A/W 0.95 A/W 20 MΩ
Vr = 10mV		 750 pF Vr=0V TO-5

额定参数

　
型号 存储温度范围 工作温度范围 焊接温度 封装形式
InGaAS-1000 -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-18
InGaAS-1500-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-18
InGaAS-3000-X -55 to 125 °C -40 to 75 °C 260 °C TO-5

三. 高速铟镓砷光电二极管

　产品特点：

  • 响应速度快，最高可到9G Hz
  • 暗电流低存
  • 带低噪声前置放大器，差分输出
  • 标准TO系列封装
    　
  • 动态范围宽
型号 受光面直径 间距 响应灵敏度 1310nm 响应灵敏度 1550nm 暗电流 结电容 反偏电流 正向电流 带宽 崩溃电压
InGaAs-300B1 300 μm --- 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V		 8 pF
Vr=-5V		 5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1μm
InGaAs-300B1x4 300 μm 500 μm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V		 8 pF Vr=-5V 5 mA max 25 mA max 100 MHz 10V at 1μm
InGaAs-300B1x8 300 μm 500 μm 0.8 A/W front & back 0.85 A/W front & back 0.05 nA
Vr=-5V		 8 pF Vr=-5V 5 mA max 25 mA max 100 MHz 　

四. 陶瓷封装型光通信光电二极管
产品特点：
  • 带低噪声前置放大器，差分输出
  • 带宽高，动态范围宽
  • 暗电流低
  • +3.3V单电源供电
  • 陶瓷封装

　
 

 

 
Ge（锗）光电探测器（800-1800nm）
一、常温条件下锗光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

G - 010

1

800-1800

G - 020

2

800-1800

G - 030

3

800-1800

G - 050

5

800-1800

G - 100

10

800-1800

G - 130

13

800-1800

二、制冷型锗光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

G-010-TE2

1

800-1800

G-020-TE2

2

800-1800

G-030-TE2

3

800-1800

G-050-TE2

5

800-1800

G-100-TE2

10

800-1800

G-130-TE2

13

800-1800
InAs（砷化铟）光电探测器（1000-3400nm）
一、常温条件下砷化铟光电探测器

型号

尺寸（mm）

波长范围(nm)

IA - 010

1

1000-3400

IA - 020

2

1000-3400

二、制冷型砷化铟光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

IA-010-TE2/TO8

1

1000-3400

IA-020-TE2/TO8

2

1000-3400

　
PbS（硫化铅）光电探测器（1000-2800nm）
一、常温条件下硫化铅光电探测器

型号

尺寸（mm）

波长范围(nm)

PBS - 010

1

1000-2800

PBS - 020

2

1000-2800

PBS - 030

3

1000-2800

PBS - 050

5

1000-2800

PBS - 060

6

1000-2800

PBS - 100

10

1000-2800

二、制冷型硫化铅光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

PBS - 010 - TE1

1

1000-2800

PBS - 010 –TE2

1

1000-2800

PBS - 020 - TE1

2

1000-2800

PBS - 020 –TE2

2

1000-2800

PBS - 030 - TE1

3

1000-2800

PBS - 030 –TE2

3

1000-2800

PBS - 050 - TE1

5

1000-2800

PBS - 050 –TE2

5

1000-2800

PBS - 060 - TE1

6

1000-2800

PBS - 060 –TE2

6

1000-2800
MCT(碲镉汞)光电探测器（1000-4500nm）
一、常温条件下MCT光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT - 4.5-010

1

1000-4500nm

MCT - 5.0-010

1

1000-4500nm

二、制冷型MCT光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT - 4.5-010-TE2

1

1000-4500

MCT - 5.0-010-TE2

1

1000-4500
MCT(碲镉汞)光电探测器（2-20+nm）

碲镉汞光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT10-0025

0.25

2-12+

MCT10-005

0.5

2-12+

MCT10-010

1

2-12+

MCT10-020

2

2-12+

MCT14-0025

0.25

2-15+

MCT14-005

0.5

2-15+

MCT14-010

1

2-15+

MCT14-020

2

2-15+

MCT20-005

0.5

2-20+

MCT20-010

1

2-20+
InSb（锑化铟)光电探测器（1000-5500nm）
锑化铟光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

IS-0025

1

1000-5500

IS-010

1

1000-5500

IS-020

1

1000-5500

IS-030

1

1000-5500

IS-040

1

1000-5500

IS-050

1

1000-5500

IS-070

1

1000-5500

IS-100

1

1000-5500
荧光检测模块

　

  

　

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