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A、射频微波元器件

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B、光通讯元器件

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->CISCO光纤收发模块

->GBIC光纤收发模块

->光纤收发

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C、二极管、三极管

->二极管/变容管/变阻管

->三极管/晶闸管/场效应管

->2SJ系列电子器件

D、无线收发、无线射频IC

E、无线收发模块

F、GSM/CDMA/GPRS通信模块

G、GPS模块/天线/方案

H、扩频模块/MODEM模块

I、遥控器/遥控开关/模块

J、通信继电器/干簧管

K、电源模块/模块电源

L、通信变压器

M、通信防雷器/TVS管

N、无线收发芯片和模组

O、数据通信芯片

 

二、产品图文介绍:

 
 
 
 
 
 
 

FUJITSU/EUDYNA公司详细产品资料目录手册/应用资料下载   代理经销Eudyna优迪娜/Fujitsu富士通微波射频器件库存清单

Optical Data Links   Optical Devices   ROSA Products   Wireless Devices    Sumitomo/Eudyna/FUJITSU
  • GaAs HEMTs (High Electron Mobility Transistors)
HEMT series of products was developed by Sumitomo Electric for a wide range of general purpose applications including, but not limited, to DBS converters, Handsets, Base Station, Radio-Telescope and many other applications where low-noise and gain is required. Sumitomo Electric has a full line-up of HEMT products specified for applications in the 4GHz to 12GHz frequency range.

GaAs HEMTs (High Electron Mobility Transistors)

  • LG Package
  • LP Package

Specifications

Part Number Noise figure
NF Typ.
(dB)
Associated Gain
Gas Typ.
(dB)
Drain Voltage
VDS
(V)
Drain Current
lDS
(mA)
Frequency
f
(GHz)
Outline/
Package
Code
Application
FHC40LG 0.3 15.5 2 10 4 LG Low Noise Amp,
TVRO, BTS
FHC30LG 0.35 14.5 2 10 4 LG
FHX76LP 0.4 13.5 2 10 12 LP Low Noise Amp
FHX13LG 0.45 13.0 2 10 12 LG
FHX14LG 0.55 13.0 2 10 12 LG
FHX04LG 0.75 10.5 2 10 12 LG
FHX05LG 0.9 10.5 2 10 12 LG
FHX06LG 1.1 10.5 2 10 12 LG
FHX35LG 1.2 10.0 3 10 12 LG Low Noise Amp, Mixer, GPS
FHX35LP 1.2 10.0 3 10 12 LP
Part Number Noise figure
NF Typ.
(dB)
Associated Gain
Gas Typ.
(dB)
Drain Voltage
VDS
(V)
Drain Current
lDS
(mA)
Frequency
f
(GHz)
Application
FHX13X 0.45 13 2 10 12 Low Noise Amp
FHX14X 0.55 13 2 10 12
FHX04X 0.75 10.5 2 10 12
FHX05X 0.9 10.5 2 10 12
FHX06X 1.1 10.5 2 10 12
FHX45X 0.55 12 2 10 12
FHX35X 1.2 10 2 10 12

X: Conventional Chip

 

  • GaAs FETs (Chip)

Features

  • High Gain, High Frequency Chip

GaAs FETs (Chip)

Specifications

Part Number 1dB
Compression
Power P1dB
(dBm)
1dB
Compression
Gain G1dB
(dB)
Power Added
Efficiency
ηadd
(%)
Frequency
f
(GHz)
Drain Voltage
VDS
(V)
Drain Current
lDS
(mA)
Application
FSX017X 21.5 11 42 8.0 8 38 X-band Amplifier
FSX027X 24.5 10 41 8.0 8 77
FLX257XV 33.5 7.5 31 10.0 10 600
FLC087XP 28.5 7 31.5 8.0 10 180 C-band Amplifier
FLC157XP 31.5 6 29.5 8.0 10 360
FLC307XP 34.8 9.5 37 4.0 10 720
FLK017XP 20.5 8 26 14.5 10 36 Ku-band Amplifier
FLK027XP 24 7 32 14.5 10 60
FLK027XV 24 7 32 14.5 10 60
FLK057XV 27 7 32 14.5 10 120
FLK107XV 30 6.5 31 14.5 10 240
FLK207XV 32.5 6 27 14.5 10 480

X: Conventional Chip, XP: PHS (Plated Heat Sink), XV: Via Hole PHS

 

GaN HEMTs
MMICs
GaAs FETs
Low-noise HEMTsGaAs HEMTs

                                           

 

 

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