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一、产品分类介绍：　　

A、射频微波元器件

->射频模块/功率管
->射频管/高频管/微波管
->混频器
->放大器
->衰减器
->双工器
->功分器
->隔离器
->开关/射频微波开关
->低噪声管
->温补晶振/晶体振荡器
->负载电阻
->PIN二极管
->PLL锁相环
->通信IC
->介质滤波器
->声表滤波器/SAW
->混合耦合器
->高频微波电容
->高频微波电感

->特价库存微波元件

->电源系统专用元件

->高频功放模块

->特殊专用元件

->高频三极管

->无线电发射专用管发射管

->高频场效应管

->GaAs微波功率晶体管

->MOS双极性晶体管

->微波毫米波振荡器

->频率源/频率综合器

->倍频器/倍频器模块

->MMIC混频器

  同轴和波导混频器

->MMIC移相器及移相器模块

->MMIC功率放大器低噪放

->对数检波视频放大器

->MMIC KU到KA收发器

->MMIC开关及模块

->同轴及波导负载部件

->MMIC同轴及波导衰减器

->同轴定向耦合器部件

->适配器转换

->速调管、行波管检波器

->波导部件和旋转关节

->功分器合路器双工器

->毫米波测试设备

->限幅器

->高功率倍增器

->射频连接器/接插件/线缆

->射频微波材料

->军品高精度晶体振荡器

-> 通信专用元器件

-> 电子管/真空管/闸流管

-> FREESCALE/MOTOROLA

-> ERICSSON爱立信系列

-> NXP/PHILIPS飞利浦系列

-> TOSHIBA东芝系列

-> MITSUBISHI/RENESAS

-> M/A-COM系列

-> ASI系列

-> EUDYNA/FUJITSU富士通

-> HP/AGILENT/Avago

-> NEC日电系列

-> HITACHI/RENESAS日立

-> SONY索尼系列
-> UMS

-> Mini-circuits

-> SIRENZA

-> ALPHA

->  WJ

-> RFMD

-> APT

-> HITTITE

-> ST意法半导体

-> QUALCOMM高通

-> PDI

-> CML

　

B、光通讯元器件

->光电通讯元器件

->光耦/光电耦合器

->Agilent光模块

->AMP光模块

->SIEMENS光纤收发模块

->OCP光纤收发模块

->CISCO光纤收发模块

->GBIC光纤收发模块

->光纤收发器

->常用光电元器件库存

　

C、二极管、三极管

->二极管/变容管/变阻管

->三极管/晶闸管/场效应管

->2SJ系列电子器件

D、无线收发、无线射频IC

E、无线收发模块

F、GSM/CDMA/GPRS通信模块

G、GPS模块/天线/方案

H、扩频模块/MODEM模块

I、遥控器/遥控开关/模块

J、通信继电器/干簧管

K、电源模块/模块电源

L、通信变压器

M、通信防雷器/TVS管

N、无线收发芯片和模组

O、数据通信芯片

　

二、产品图文介绍：

　
　
　
　
　
 
　

FUJITSU/EUDYNA公司详细产品资料目录手册/应用资料下载   代理经销Eudyna优迪娜/Fujitsu富士通微波射频器件库存清单

Optical Data Links   Optical Devices   ROSA Products   Wireless Devices    Sumitomo/Eudyna/FUJITSU
  • GaN HEMTs for Base Station (C Series)

For Base Station (C Series)

Features

  • Designed for 3G/LTE/WiMAX Base Station
  • Optimized for Doherty Architecture
  • Higher Load Impedance: 15 to 20Ω @Final Stage (Easy Match, Wide Band)
  • High Operating Voltage: 50V
  • High Power: Up to 320W Psat Single Ended
  • High Gain: Gp=16dB @f=2.6GHz, 210W Device
  • High Efficiency: 60-70% with Internal Class F Matching

GaN HEMTs for Base Station (C Series)

  • MK Package
  • I2D Package
  • IV Package

Specifications (Driver Stage)

Part Number Frequency
(GHz)		 Psat*1
Typ.
(dBm)		 Pout*2
(Ave.)
Typ.
(dBm)		 Gp*2
Typ.
(dB)		 η*2@Pout
(Ave.)
Typ.
(%)		 VDS
(V)		 IDS(DC)
(mA)		 Rth
Typ.
(°C/W)		 Outline/
Package
Code
EGN21C020MK 2.14 43.5 30.0 19.0 12.5 50 100 6.0 MK
EGN21C030MK 2.14 45.0 31.5 19.0 12.5 50 150 5.0
EGN26C020MK 2.6 43.5 30.0 18.0 12.5 50 100 6.0
EGN26C030MK 2.6 45.0 31.5 18.0 12.5 50 150 5.0
EGN35C030MK 3.5 45.0 31.5 16.5 11.0 50 150 5.0
  • *1: 10%-duty RF pulse (DC supply constant)
  • *2 : Pout=(Ave.), CW
  • Note: Tc (op)=+25°C

Specifications (Final Stage)

Part Number Frequency
(GHz)		 Psat*1
Typ.
(dBm)		 Pout
(Ave.)
Typ.
(dBm)		 Gp
Typ.
(dB)		 η@Pout
(Ave.)
Typ.
(%)		 VDS
(V)		 IDS(DC)
(mA)		 Rth
Typ.
(°C/W)		 Outline/
Package
Code
EGNC105MK 0.9 51.0 43.0*3 20.0*3 35*3 50 400 2.0 MK
EGNC160MK 0.9 52.5 44.5*3 18.0*3 35*3 50 600 1.4
EGNC210MK 0.9 53.5 45.5*3 17.5*3 35*3 50 750 1.1
EGN16C105MK 1.6 50.5 42.5*3 19.0*3 33*3 50 400 2.0
SGN19C210I2D 1.9 53.0 45.0*3 18.5*3 32*3 50 750 1.1 I2D
SGN21C105MK 2.1 50.3 42.5*3 17.0*3 32*3 50 400 2.0 MK
SGN21C050MK 2.14 47.0 39.0*3 18.5*3 33*3 50 200 3.0
EGN21C070MK 2.14 49.5 41.5*3 17.0*3 33*3 50 300 2.5
EGN21C105I2D 2.14 50.3 42.0*2 18.0*2 32*2 50 400 2.0 I2D
EGN21C160I2D 2.14 52.5 44.5*2 18.0*2 32*2 50 600 1.4
EGN21C210I2D 2.14 53.0 45.0*2 18.0*2 32*2 50 750 1.1
EGN21C320IV 2.14 55.0 47.0*2 18.0*2 31*2 50 1100 0.8 IV
SGN26C050MK 2.6 47.0 39.0*3 17.5*3 33*3 50 200 3.0 MK
EGN26C070MK 2.6 48.8 40.8*3 16.5*3 30*3 50 300 2.5
EGN26C070I2D 2.6 48.8 40.8*3 18.0*3 35*3 50 300 2.5 I2D
EGN26C105I2D 2.6 50.3 42.0*3 17.0*3 32*3 50 400 2.0
EGN26C160I2D 2.6 52.5 44.5*3 16.0*3 30*3 50 600 1.4
EGN26C210I2D 2.6 53.0 45.0*3 16.0*3 30*3 50 750 1.1
SGN27C160I2D 2.65 52.5 44.5*3 16.3*3 30*3 50 600 1.4
SGN27C210I2D 2.65 53.0 45.0*3 16.3*3 30*3 50 750 1.1
EGN35C070I2D 3.5 48.8 40.8*3 15.5*3 28*3 50 300 2.5
  • *1: 10%-duty RF pulse(DC supply constant)
  • *2: Pout=(Ave.), f0=2.135GHz, f1=2.145GHz, W-CDMA (3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch 47.5% clipping modulation (PAR=8.5dB@0.01%)
  • *3: Pout=(Ave.), W-CDMA (3GPP3.4 12-00) BS-1 64ch 65% clipping modulation (PAR=8.5dB@0.01%)
  • Note: Tc (op)=+25°C

Specifications (Peak Stage of Doherty Amplifier)

Part Number Frequency
(GHz)		 Psat*1
Typ.
(dBm)		 Gp*2
Typ.
(dB)		 VDS
(V)		 Rth
Typ.
(°C/W)		 Outline/
Package
Code
SGNC320MK 0.9 55.0 16.5 50 1.2 MK
SGN19C320I2D 1.9 55.0 18.0 50 1.2 I2D
SGN21C320I2D 2.14 55.0 17.5 50 1.2
SGN26C320I2D 2.6 55.0 16.0 50 1.2
  • *1: 10%-duty RF pulse (DC supply constant: IDS(DC)=10mA)
  • *2: Pout=3dB back off point, 10%-duty RF pulse (DC supply constant: IDS(DC)=10mA)
  • Note: Tc (op)=+25°C

　

　

                                           

  

　

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