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二、产品图文介绍:

 
 
 
 
 
 
 

 

 
Hittite公司有从低频到高频, 从低功率到高功率等一系列的射频开关.


本文就对部分SPDT开关做一个快速选型的介绍, 更多的器件选择请直接联系我们

 

Hittite射频开关快速选型指南

 

引言

很多时分系统都需要用到射频开关, 特别是TD系统,开关更是必不可少.

 

右边框图就是射频开关在TD中的典型应用:

发射信号通过PA放大后,送到环形器,再经过天线口发射.
接收信号从天线进来,经过环形器, 再经过射频开关,送到LNA.

 

Hittite公司有从低频到高频, 从低功率到高功率等一系列的射频开关.

本文就对部分SPDT开关做一个快速选型的介绍, 更多的器件选择请访问

 

低成本的射频开关

表1*:

 

f

IL

Isolation

P1dB

IIP3

Vctl

HMC226

DC-2

0.8

15

38

61

0/+3V/+5V**

HMC545

DC-3

0.3

31

34

65

0/+3V/+5V/+8V

 

HMC226和HMC545频率从DC-2~3GHz, 可以用在450MHz,900MHz, 1.8-2.0GHz, TD等应用,差损只有0.5到0.8dB.

SOT26封装形式简单,成本低,适用于一些对指标要求不高,成本控制比较严格的场合. 如无线抄表等.

 

高隔离度射频开关

图2: HMC545 表2:

 

f

IL

Isolation

P1dB

IIP3

Vctl

HMC348LP3

DC-2.5

0.6

52

28

51

0/+5V

HMC194MS8G

DC-3

0.6

42

28

53

0/+5V

HMC349MS8G

DC-4

1.0

57

31

50

0/+5V

HMC270MS8G

DC-8

0.8

48

24

38

0/-5V***

HMC232LP4

DC-12

1.2

54

26

50

0/-5V

 

 

采用非反射式结构, 开关内部集成50 ohms负载,吸收多余的功率,因此隔离度可以做得很高.

 

HMC39MS8G在2015MHz差损是1.0dB,隔离度高达57dB.同时它还有一个使能端Pin4 EN.

当EN为高电平时, RF1/RF2全部OFF;
当EN为的电平时,开关正常工作.

 

图3:HMC349MS8G

高功率射频开关

表3

 

f

IL

Isolation

P1dB

IIP3

Vctl

HMC574MS8

DC-3

0.3

28

38

63

0/+3V/+5V/+8V

HMC546MS8G

0.2-2.2

0.6

22/34

43/22

67/43

0/+3V/+5V/+8V

HMC484MS8G

DC-3

0.6

30

40

70

0/+3V/+5V/+8V

HMC646LP2

0.1-2.1

0.7/1.3

18/29

46/20

74/34

0/+3V/+5V/+8V

 

HMC646LP2

是一款GaAs MMIC开关, 在Tx端口, P0.1dB为+46dBm, IIP3为+74dBm. 非常适合用在TD的大功率直放站或者基站中.

 

射频开关在CATV中的应用

HMC348LP3 用在75 Ohms中, 900MHz的指标如下:

表4

 

f

IL

Isolation

P1dB

IIP3

Vctl

HMC348LP3

DC-2.5

1.2

57

28

51

0/+5V

 

 

在500MHz以下的电路应用中, 图中C1/C2电容对隔离度的影响非常明显. 为了使开关有理想的隔离度,这个两个3300p的电容是必不可少的.

 

在500MHz以上电路, C1/C2可以100pF到300pF的电容.

 

 

图四:HMC348LP3应用电路

 

Notes:

* 除非特殊说明,本文所有数据全部在f=2015MHz,Vctl=+5V 测得

** 控制电压越大,开关的P1dB和IIP3也会相应的增加. 以HMC226为例, 900MHz测试:

*** 采用负压控制,可以实现宽频带控制, 最低频率至DC.

 

 

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