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Hittite射频开关快速选型指南
引言 很多时分系统都需要用到射频开关, 特别是TD系统,开关更是必不可少.
右边框图就是射频开关在TD中的典型应用:
Hittite公司有从低频到高频, 从低功率到高功率等一系列的射频开关. 本文就对部分SPDT开关做一个快速选型的介绍, 更多的器件选择请访问
低成本的射频开关
HMC226和HMC545频率从DC-2~3GHz, 可以用在450MHz,900MHz, 1.8-2.0GHz, TD等应用,差损只有0.5到0.8dB. SOT26封装形式简单,成本低,适用于一些对指标要求不高,成本控制比较严格的场合. 如无线抄表等.
高隔离度射频开关 图2: HMC545 表2:
采用非反射式结构, 开关内部集成50 ohms负载,吸收多余的功率,因此隔离度可以做得很高.
HMC39MS8G在2015MHz差损是1.0dB,隔离度高达57dB.同时它还有一个使能端Pin4 EN.
图3:HMC349MS8G 高功率射频开关 表3
HMC646LP2 是一款GaAs MMIC开关, 在Tx端口, P0.1dB为+46dBm, IIP3为+74dBm. 非常适合用在TD的大功率直放站或者基站中.
射频开关在CATV中的应用 HMC348LP3 用在75 Ohms中, 900MHz的指标如下: 表4
在500MHz以下的电路应用中, 图中C1/C2电容对隔离度的影响非常明显. 为了使开关有理想的隔离度,这个两个3300p的电容是必不可少的.
在500MHz以上电路, C1/C2可以100pF到300pF的电容.
图四:HMC348LP3应用电路
Notes: * 除非特殊说明,本文所有数据全部在f=2015MHz,Vctl=+5V 测得 ** 控制电压越大,开关的P1dB和IIP3也会相应的增加. 以HMC226为例, 900MHz测试:
*** 采用负压控制,可以实现宽频带控制, 最低频率至DC.
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